[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法有效
| 申请号: | 201410079092.7 | 申请日: | 2014-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN104218054B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
| 发明(设计)人: | 宋永录 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机发光显示设备 有机发光装置 薄膜晶体管 电极接触 电极 电力线 电极电连接 源/漏电极 浮雕结构 像素电极 发光层 栅电极 中间层 源层 制造 | ||
1.一种有机发光显示设备,包括:
薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极和漏电极;
有机发光装置,包括:
连接至所述薄膜晶体管的像素电极;
包括发光层的中间层;以及
相对电极;以及
相对电极接触单元,所述相对电极接触单元包括电力线,其中所述相对电极电连接至所述电力线,
其中,所述电力线的与所述相对电极接触的表面被形成为具有浮雕结构;以及
其中,所述浮雕结构的一个斜边相对于沉积源形成特定角,所述沉积源用于沉积所述有机发光装置的中间层。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述电力线包括至少一个或多个线路层,
其中,所述至少一个或多个线路层包括这样一种线路层,即,该线路层包括与所述薄膜晶体管的所述源电极和漏电极相同的材料并且与所述薄膜晶体管的所述源电极和漏电极处于同一层上。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述电力线包括至少一个或多个线路层,以及
所述至少一个或多个线路层包括这样一种线路层,即,该线路层包括与所述薄膜晶体管的所述栅电极相同的材料并且与所述薄膜晶体管的所述栅电极处于同一层上。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述特定角被确定为使得所述沉积源产生的沉积材料在竖直方向上到达所述浮雕结构的所述一个斜边上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述浮雕结构的所述一个斜边被形成为垂直于所述有机发光显示设备的衬底。
6.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述浮雕结构被形成在与所述相对电极有关的雕刻或浮雕结构中。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述栅电极包括上部栅电极和下部栅电极,以及
所述下部栅电极形成在与所述有机发光装置的所述像素电极相同的层上。
8.如权利要求7所述的有机发光显示设备,其中,所述电力线包括第一线路层、第二线路层和第三线路层,所述第一线路层、第二线路层和第三线路层按以下顺序形成:
所述第一线路层、第二线路层和第三线路层以朝向所述相对电极的方向相继形成,
所述第一线路层包括与所述下部栅电极相同的材料并且与所述下部栅电极处于同一层上,
所述第二线路层包括与所述上部栅电极相同的材料并且与所述上部栅电极处于同一层上,
所述第三线路层包括与所述源电极和漏电极相同的材料并且与所述源电极和漏电极处于同一层上。
9.如权利要求8所述的有机发光显示设备,其中,所述像素电极、所述下部栅电极或者所述第一线路层形成为包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌和氧化铟中的一种或多种透明金属氧化物。
10.如权利要求8所述的有机发光显示设备,其中,所述上部栅电极或所述第三线路层包括银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、钼钨和铜中的一种或多种材料。
11.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述相对电极接触单元形成在所述有机发光显示设备的非显示区中。
12.如权利要求1所述的有机发光显示设备,还包括:
在所述相对电极接触单元中的所述电力线的一部分之外形成的层间绝缘层和像素限定层。
13.如权利要求12所述的有机发光显示设备,其中,所述电力线经由形成在所述层间绝缘层和所述像素限定层上的孔电连接至所述相对电极。
14.如权利要求12所述的有机发光显示设备,其中,所述层间绝缘层包括无机绝缘材料,所述像素限定层包括有机绝缘材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





