[发明专利]玻璃料组合物、玻璃料及有源矩阵有机发光二极管密封法

权利要求书

1.一种低熔点玻璃料组合物，其特征在于，包含30～60重量百分比的V₂O₅、1～10重量百分比的BaO、1～10重量百分比的ZnO、10～20重量百分比的P₂O₅、10～30重量百分比的TeO₂、1～5重量百分比的Cu₂O、5重量百分比以下的Fe₂O₃及10～30重量百分比的SeO₂。

2.根据权利要求1所述的低熔点玻璃料组合物，其特征在于，上述低熔点玻璃料组合物在800～820nm波长范围的红外线吸收率为80%以上。

3.根据权利要求1所述的低熔点玻璃料组合物，其特征在于，上述低熔点玻璃料组合物的玻璃化转变温度为300～400℃，且软化温度为400～500℃。

4.根据权利要求1所述的低熔点玻璃料组合物，其特征在于，上述低熔点玻璃料组合物在烧成后在50～250℃温度范围内的平均热膨胀系数为5×10^-6/℃至9×10^-6/℃。

5.根据权利要求1所述的低熔点玻璃料组合物，其特征在于，上述低熔点玻璃料组合物具有10×10^-7g/m²/天至1×10^-4g/m²/天的耐水性。

6.一种低熔点玻璃料，其特征在于，由权利要求1至5中任一项所述的低熔点玻璃料组合物制成。

7.一种有源矩阵有机发光二极管的密封方法，其特征在于，包括：

准备形成有薄膜晶体管及有机电致发光器件的第一基板及将与上述第一基板接合的第二基板的步骤，

在上述第一基板或第二基板的外围部形成含有玻璃料的密封材料的步骤，

以使上述密封材料的端部接触于上述第一基板及第二基板的方式将上述第一基板及第二基板排成一线的步骤，以及

向以与上述密封材料的端部相对应的方式排成一线的第一基板或第二基板中的至少一个基板照射激光来使上述第一基板及第二基板接合的步骤；

上述玻璃料中包含30～60重量百分比的V₂O₅、1～10重量百分比的BaO、1～10重量百分比的ZnO、10～20重量百分比的P₂O₅、10～30重量百分比的TeO₂、1～5重量百分比的Cu₂O、5重量百分比以下的Fe₂O₃及10～30重量百分比的SeO₂。

8.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管的密封方法，其特征在于，当照射上述激光时，照射800～820nm波长范围的红外线激光。