[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法

权利要求书

1. 一种氮化镓基发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型GaN层（2）、发光层（3）、P型GaN层（4）和透明导电层（5）组成的发光结构，在透明导电层（5）上置有P型电极（6），其特征在于：所述衬底（1）底部开设孔直至N型GaN层（2），在所述孔内设有N型电极（7）置于N型GaN层（2）下底面。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述孔的直径为60-150um，孔的高度为80-200um。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述孔开设于衬底（1）底部中心位置。

4.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述N型电极（7）充满孔，N型电极（7）的下底面与衬底（1）底部齐平。

5.一种如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管的制作方法，其包括以下步骤：

1）在衬底（1）上采用金属有机物化学气相沉积技术分别外延生长N型GaN层（2）、发光层（3）以及P型GaN层（4）；

2）利用蒸镀技术在P型GaN层（4）上表面制备透明导电层（5），并利用曝光技术和刻蚀技术制备出P型导电层欧姆接触区；

3）在P型导电层欧姆接触区上利用蒸镀和曝光技术制备P型电极（6）；

4）将上述制备的氮化镓基发光二极管从衬底（1）背面减薄；

5）利用CO₂激光器刻蚀技术，从衬底（1）背面刻蚀孔至N型GaN层（2）；

6）利用蒸镀和曝光技术制备N型电极（7），将N型电极（7）置于孔内与N型GaN层（2）接触；利用激光切割并且劈裂成单颗晶粒。