[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、修复方法及显示装置有效
| 申请号： | 201410046075.3 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103792747A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张明;刘勃;高连龙;马兴;王洪惠 | 申请（专利权）人： | 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 修复 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、像素电极以及横纵交叉的栅线和数据线，其特征在于，还包括：
修复层，所述修复层与所述像素电极电连接，所述修复层的面积在设定的修复层面积范围内；
所述修复层的图案包括至少一个镂空部。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述镂空部的形状选自：圆环形、矩形、三角形、网格形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复层的图案还包括至少两个非镂空部；其中两个相邻的所述非镂空部之间间隔距离在设定的间隔距离范围之内。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复层的面积大于16μm2。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述两个相邻的所述非镂空部之间间隔距离为4μm～9μm。
6.根据权利要求1任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述修复层与所述像素电极为一体结构。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非镂空部通过第一过孔与所述薄膜晶体管的栅极电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极和公共电极线，所述非镂空部通过第二过孔与所述公共电极或所述公共电极线电连接。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种如权利要求1～8中任一项所述的阵列基板的制作方法，包括形成薄膜晶体管、像素电极以及横纵交叉的栅线和数据线的方法，其特征在于，还包括：
在基板上一体形成与所述像素电极电连接的修复层。
11.一种阵列基板修复方法，其特征在于，包括对如权利要求1～7中任一项所述的阵列基板进行修复的方法，包括：
在修复层的图案表面，当修复光斑与非镂空部相接触时，通过所述修复光斑熔融形成第一过孔，以使得所述非镂空部通过所述第一过孔与薄膜晶体管的栅极电连接。
12.根据权利要求11所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极和公共电极线，所述方法还包括：
在所述修复层的图案表面，当修复光斑与所述非镂空部相接触时，通过所述修复光斑熔融形成第二过孔，以使得所述非镂空部通过所述第二过孔与公共电极或公共电极线电连接。
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