[发明专利]在半导体基底上贴附黏性薄膜的装置和方法有效
申请号: | 201380077368.1 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN105283941B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 王晖;王希;赵虎;王俊 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 基底 上贴 黏性 薄膜 装置 方法 | ||
1.一种在半导体基底上贴附黏性薄膜的系统,其特征在于,包括在半导体基底上贴附黏性薄膜的贴膜装置、伯努利手臂,固持半导体基底,并使半导体基底处于悬浮状态,半导体基底的器件面与伯努利手臂的顶面之间具有一间隙,半导体基底的器件面不与伯努利手臂的顶面接触;
真空手臂,固持半导体基底的背面并将半导体基底传送至伯努利手臂;以及
清洗装置,清洗半导体基底的器件面和背面;
其中,所述伯努利手臂和所述真空手臂在所述贴膜装置和所述清洗装置之间传送半导体基底;
所述装置包括:
所述伯努利手臂;
工作台,加载和定位黏性薄膜,使黏性薄膜位于半导体基底上方;
旋转盘,具有线性轨道,旋转盘设置在黏性薄膜的上方;
线性驱动器,安装在旋转盘的线性轨道上且能够沿着线性轨道移动;
气体喷嘴,向黏性薄膜上提供贴膜气体以将黏性薄膜压在半导体基底的黏贴面上,气体喷嘴安装在线性驱动器上且与线性驱动器一起移动;以及
旋转驱动器,与旋转盘连接并驱动旋转盘在平行于半导体基底的平面内旋转。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,进一步包括垂直驱动器,所述垂直驱动器与旋转盘连接以驱动旋转盘在垂直方向上下移动。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述伯努利手臂能够在垂直方向上下移动。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,进一步包括薄膜框架,所述薄膜框架设置在工作台上,黏性薄膜黏贴在所述薄膜框架上。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述半导体基底的黏贴面是与半导体基底的器件面相对的半导体基底的背面,所述伯努利手臂固持半导体基底,并使半导体基底处于悬浮状态,半导体基底的器件面与伯努利手臂的顶面之间具有一间隙,半导体基底的器件面不与伯努利手臂的顶面接触。
6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述伯努利手臂顶面的边缘设置有一组第一喷射口,该第一喷射口与第一气体管路相连,当第一气体管路向第一喷射口提供纯净的气体时,伯努利手臂通过伯努利效应吸住半导体基底,伯努利手臂顶面的中心设置有一组或多组第二喷射口,该一组或多组第二喷射口与一个或多个第二气体管路相连,当第二气体管路向第二喷射口提供纯净的气体时,伯努利手臂将半导体基底举起,该一个或多个第二气体管路被独立控制。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述半导体基底与伯努利手臂之间的间隙的高度通过控制提供至第一喷射口和第二喷射口的纯净气体的流量来加以调节。
8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述气体喷嘴与贴膜气体管路相连,供气阀与所述贴膜气体管路相连以向所述气体喷嘴提供贴膜气体。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,进一步包括压力调节器,与所述贴膜气体管路相连以控制贴膜气体的喷射压力。
10.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,进一步包括流量调节器,与所述贴膜气体管路相连以控制贴膜气体的流量。
11.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,进一步包括加热装置,与所述贴膜气体管路相连以控制贴膜气体的温度。
12.根据权利要求11所述的系统,其特征在于,所述贴膜气体的温度控制在20℃-80℃。
13.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述黏性薄膜与所述半导体基底的黏合的轨迹通过调整所述旋转盘的旋转速度以及所述线性驱动器的线性移动速度来加以控制。
14.根据权利要求13所述的系统,其特征在于,所述黏性薄膜与所述半导体基底的黏合的轨迹可被编程为螺旋状,由半导体基底的中心旋绕至半导体基底的边缘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造