[发明专利]光半导体集成元件以及其制造方法

权利要求书

1.一种光半导体集成元件，是具备由在半导体基板上至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导的光半导体集成元件，其特征在于，

上述上部包覆层具有与上述第1导电型相反导电型且在上述波导的延伸方向上被分离的第2导电型上部包覆层、和连接上述被分离的第2导电型上部包覆层间的i型上部包覆层，

设置有上述i型上部包覆层的波导区域和设置有至少2个以上的上述第2导电型上部包覆层的波导区域在与上述波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移，设置有上述i型上部包覆层的波导区域和设置有上述第2导电型上部包覆层的波导区域通过折曲部连接。

2.根据权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

上述条纹状的波导以电介质氧化膜以及有机绝缘物嵌入。

3.根据权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

上述条纹状的波导以半绝缘性半导体层嵌入。

4.根据权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

上述i型上部包覆层呈圆弧状地折曲。

5.根据权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

设置有上述i型上部包覆层的波导区域以及设置有上述第2导电型上部包覆层的波导区域具有与上述波导的主要的延伸方向平行的直线状部和与上述直线状部的两端连接的折曲部，

设置有上述i型上部包覆层的波导区域的折曲部和设置有第2导电型上部包覆层的波导区域的折曲部连接来形成S字状的波导。

6.根据权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

设置有上述第2导电型上部包覆层的波导部的一方为分布反馈型半导体激光器，

隔着设置有上述i型上部包覆层的部分与上述分布反馈型半导体激光器对置的设置有上述第2导电型上部包覆层的波导部的另一方为光调制器或者半导体光放大器中的任意一个，

在成为上述分布反馈型半导体激光器的波导部的层叠构造的至少一部分形成有衍射光栅。

7.根据权利要求6所述的光半导体集成元件，其特征在于，

形成上述层叠构造的波导芯层为多量子阱有源层。

8.根据权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，具有：

上述i型上部包覆层与上述第2导电型上部包覆层交替地排列的2个调制波导；

与上述2个调制波导的两端连接的1×2联接器；

与上述1×2联接器的一方连接的输入波导；

与上述1×2联接器的另一方连接的输出波导；

在与上述2个调制波导的上述第2导电型上部包覆层对应的区域上分别单个设置的电极。

9.根据权利要求8所述的光半导体集成元件，其特征在于，

设置有上述i型上部包覆层的波导区域呈圆弧状地折曲。

10.根据权利要求9所述的光半导体集成元件，其特征在于，

设置有上述第2导电型上部包覆层的波导区域还在与设置有上述i型上部包覆层的波导区域的折曲方向相反方向上呈圆弧状地折曲。

11.根据权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

在上述第2导电型上部包覆层上具有第2导电型接触层。