[发明专利]高性能层叠封装体有效
申请号: | 201380070812.7 | 申请日: | 2013-12-10 |
公开(公告)号: | CN104937716B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | I·莫哈梅德;B·哈巴 | 申请(专利权)人: | 伊文萨思公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/10;H01L25/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装体 微电子元件 导电结构 中央区域 电连接 上端子 下端子 封装 存储器存储 微电子组件 层叠封装 阵列功能 元件面 处理器 对准 延伸 | ||
1.一种微电子组件,包括:
第一封装体,包括微电子元件,所述微电子元件包含处理器,所述第一封装体在其面处具有处理器封装体端子;以及
第二封装体,与所述第一封装体电连接,所述第二封装体包括:
两个或更多个微电子元件,其中每个微电子元件都具有存储器存储阵列功能,每个微电子元件都具有:元件面、以及在相应的元件面处的多个接触;
相对的上封装体面和下封装体面,其中每个封装体面都与所述元件面平行;所述上封装体面由覆在所述两个或更多个微电子元件的所述元件面上面的介电层的表面限定;其中所述两个或更多个微电子元件中的相应的微电子元件的边缘的至少部分彼此间隔开,从而在所述边缘之间限定中央区域,所述中央区域不覆在所述第二封装体的所述微电子元件的所述元件面中的任何元件面上面;
在所述上封装体面处的上端子,联接至所述处理器封装体端子、并且与所述接触中的至少一些接触电连接;以及
在所述下封装体面处的下端子,配置为将所述组件与在所述组件外部的部件电连接;以及
导电结构,包括具有接线键合接线的接线键合,所述接线键合接线与所述中央区域对准、并且延伸通过所述第二封装体以将所述下端子与下列各项中的至少一项电连接:所述上端子或者所述接触。
2.根据权利要求1所述的微电子组件,进一步包括:
外围导电互连结构,与外围区域对准,所述外围区域限定在所述第二封装体的外边缘与所述中央区域之间、并且不覆在所述第二封装体的所述微电子元件的所述元件面中的任何元件面上面,所述外围导电互连结构将所述下端子与下列各项中的至少一项连接:所述上端子或者所述接触。
3.根据权利要求2所述的微电子组件,
其中与所述中央区域对准的所述导电结构的至少部分配置为,将电力或者接地中的至少一项传送至所述上端子。
4.根据权利要求2所述的微电子组件,
其中与所述中央区域对准的所述导电结构的至少部分配置为,将电力或者接地中的至少一项传送至所述第二封装体的所述微电子元件的所述接触。
5.根据权利要求3所述的微电子组件,
其中所述外围导电互连结构中的至少一些外围导电互连结构配置为,将数据信号传送至所述上端子。
6.根据权利要求2所述的微电子组件,
其中所述上端子和所述下端子中的每一项都包括:中央端子,在所述中央区域处;以及外围端子,在所述外围区域处;并且
其中所述上端子包括:中间端子,覆在所述第二封装体的所述微电子元件中的至少一个微电子元件的所述元件面上面。
7.根据权利要求1所述的微电子组件,
其中所述上端子中的至少一些上端子覆在所述第二封装体的所述微电子元件中的至少一个微电子元件的所述元件面上面。
8.根据权利要求7所述的微电子组件,
其中所述上端子中的至少一些上端子,与所述第二封装体的所述微电子元件中的至少一个微电子元件的所述接触电连接,并且
与所述上端子中的至少一些上端子连接的所述处理器封装体端子,与所述第一封装体的所述微电子元件的接触电连接。
9.根据权利要求7所述的微电子组件,
其中所述上端子中的至少一些上端子配置为,传送下列各项中的至少一项:数据信号或者地址信息;所传送的所述数据信号和/或所述地址信息,可以由在所述第二封装体内的电路系统用于:从所述第二封装体的所述微电子元件中的至少一个微电子元件的存储器存储阵列的所有可用的可寻址存储单元中,确定可寻址存储单元。
10.根据权利要求1所述的微电子组件,
其中所述上端子和所述下端子中的至少一些端子,在所述第二封装体内与所述第二封装体的所述微电子元件的所述接触电连接。
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