[发明专利]半导体装置、固体摄像装置和电子设备有效
申请号: | 201380053203.0 | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN104718622B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 梅林拓;田谷圭司;井上肇;金村龙一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 固体 摄像 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
第一半导体部,所述第一半导体部包括在它一侧的第一布线层,所述第一半导体部还包括光电二极管;
第二半导体部,所述第二半导体部包括在它一侧的第二布线层,所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起;
第三半导体部,所述第三半导体部包括在它一侧的第三布线层,所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使得所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起;以及
第一导电材料,所述第一导电材料将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接,以使得被电连接的布线层处于电气通信,
其中,所述第一导电材料具有水平延伸部和垂直延伸部,所述水平延伸部沿着所述第一半导体部和所述第三半导体部之间的表面延伸,
其中,所述第一导电材料为聚合物材料。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部以所述第一布线层面向所述第二布线层或者所述第二布线层面向所述第三布线层的方式被堆叠在一起。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其还包括:
第二导电材料,所述第二导电材料将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接,以使得被电连接的布线层处于电气通信。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中被所述第二导电材料电连接的至少一个布线层不同于被所述第一导电材料电连接的布线层。
5.如权利要求3所述的半导体装置,其中所述第一导电材料和所述第二导电材料之中的至少一者包括两个通孔,这两个通孔在垂直方向上贯穿所述第一半导体部和所述第二半导体部之中的至少一者;并且
其中所述第一导电材料的所述两个通孔之中的第一通孔电连接至与被所述两个通孔之中的第二通孔电连接的布线层不同的布线层。
6.如权利要求3所述的半导体装置,其中所述第一导电材料和所述第二导电材料之中的至少一者包括单个通孔,该单个通孔在垂直方向上贯穿所述第一半导体部和所述第二半导体部之中的至少一者,由此所述第一导电材料和所述第二导电材料之中的所述至少一者使至少两个布线层电接触。
7.如权利要求1所述的半导体装置,其中(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少一者的金属线被直接接合至另一个布线层内的金属线。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其中具有被直接接合的金属线的所述布线层之中的至少一者不同于被所述第一导电材料电连接的布线层。
9.如权利要求1所述的半导体装置,其还包括外部连接用的焊盘电极。
10.如权利要求9所述的半导体装置,其中所述焊盘电极被设置成能够阻挡来自位于所述第二半导体部中的一个以上晶体管的光。
11.如权利要求1至10中任一项所述的半导体装置,其中所述第一半导体部包括传感器电路,所述第二半导体部和所述第三半导体部之中的至少一者包括逻辑电路,且所述第二半导体部和所述第三半导体部之中的至少一者包括存储器电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380053203.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有改善性能的发光晶体管
- 下一篇:减少应力的TSV和插入结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的