[发明专利]光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置

权利要求书

1.光半导体元件密封用有机硅组合物，其特征在于，分别含有：

(A)下述通式(1)表示的聚有机硅氧烷、和(B)在1分子中具有至少1个烯基、含有x个R¹₃SiO_1/2单元、y个R¹₂SiO单元、和z个SiO₂单元，将x、y、z的合计换算为1时的x、y、z分别为0.3≤x≤0.5、0＜y≤0.1、0.4≤z＜0.7的树脂状结构的聚有机硅氧烷，

其中，各硅氧烷单元中，R¹各自独立地表示烯基或任选被卤素取代的烷基，R¹₂SiO单元中的R¹的至少1个为烯基，

该(A)成分和(B)成分的含量以(A)成分和(B)成分的总量计为100质量份，并且相对于(A)成分和(B)成分的总量100质量份，使(B)成分为10～40质量份，

(R¹₃SiO_1/2)(R²₂SiO)_m(R¹₂SiO)_n(R¹₃SiO_1/2)…(1)

其中，式(1)中，R¹各自独立地表示烯基或任选被卤素取代的烷基，R²各自独立地表示芳基，R¹的至少2个为烯基，0.01＜m/(m+n)＜0.10，

(C)在1分子中具有至少2个键合于硅原子的氢原子的聚有机氢硅氧烷，该(C)成分的量是，使得相对于上述(A)成分和(B)成分所分别具有的烯基的总量1摩尔、键合于硅原子的氢原子为1～3摩尔的量，

(D)相对于(A)成分和(B)成分的总量100质量份为5～20质量份的二氧化硅粉末，以及

(E)催化量的氢化硅烷化反应催化剂，

所述光半导体元件密封用有机硅组合物的折射率为1.41～1.44，该折射率是在25℃下采用D线测定的折射率。

2.权利要求1所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其中，进一步含有相对于(A)成分和(B)成分的总量100质量份为0.1～10质量份的(F)粘接性赋予剂，所述粘接性赋予剂含有选自环氧基、Si-H基、交联性乙烯基和烷氧基甲硅烷基中的至少2种。

3.权利要求1或2所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其中，进一步含有相对于(A)成分和(B)成分的总量100质量份为0.005～5质量份的(G)液态的触变性赋予剂。

4.权利要求1或2所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其特征在于，在制成厚度2mm的片材时，得到25℃下的波长400nm的光的透射率为90%以上的有机硅固化物。

5.权利要求3所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其特征在于，在制成厚度2mm的片材时，得到25℃下的波长400nm的光的透射率为90%以上的有机硅固化物。

6.权利要求1或2所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其中，利用旋转粘度计测得的25℃下的2rpm的粘度η₂与20rpm的粘度η₂₀之比η₂/η₂₀为1.8～6.0。

7.权利要求3所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其中，利用旋转粘度计测得的25℃下的2rpm的粘度η₂与20rpm的粘度η₂₀之比η₂/η₂₀为1.8～6.0。

8.权利要求1或2所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其特征在于，得到基于JIS K6249在25℃下利用A型硬度计测定的硬度为30～80、拉伸强度为4MPa以上的有机硅固化物。

9.权利要求1或2所述的光半导体元件密封用有机硅组合物，其中，上述(C)成分的聚有机氢硅氧烷是，作为键合于硅原子的有机基团仅具有甲基的聚甲基氢硅氧烷。

10.光半导体装置，其是利用权利要求1或2所述的光半导体元件密封用有机硅组合物的固化物来密封光半导体元件而成的。