[发明专利]电子部件模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子部件模块，尤其涉及一种电子部件模块中的连接端子构件的周边部的构造，其中，该电子部件模块具备布线基板、安装在该布线基板上的电子部件及柱状的连接端子构件、以及封装电子部件及连接端子构件的树脂层。

背景技术

与本发明相关的技术已在例如日本专利特开2008-16729号公报(专利文献1)中公开。在专利文献1中公开了一种半导体装置，其中，作为柱状连接端子构件的内部连接用电极连接在配置于有机基板的布线图案上的规定位置处的连接电极用金属焊盘部上，并且通过封装树脂而将内部连接用电极进行封装。另外，专利文献1中已经公开内部连接用电极也可以通过锡焊来连接在连接电极用金属焊盘部上。

但是，在通过锡焊来连接内部连接用电极时，有可能发生下述问题：即，在将半导体装置安装到安装用基板上时的回流工序中，作为接合材料的焊锡再次熔融而体积膨胀，从而焊锡沿着内部连接用电极与封装树脂之间的间隙流出或者喷出半导体装置外侧。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2008-16729号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明的目的在于，在如上述半导体装置那样的电子部件模块中，在将该电子部件模块安装到安装用基板上时所实施的回流工序中抑制接合材料流出。

解决技术问题所采用的技术方案

简而言之，本发明的特征在于，在连接端子构件的露出侧的端部处防止接合材料在回流工序中流出。

更为详细来说，本发明涉及的电子部件模块具备：布线基板，其具有互相相对的第1及第2主面；电子部件，其至少安装在布线基板的第1主面上；导电焊盘，其至少形成于布线基板的第1主面上；柱状的连接端子构件，其具有互相相对的第1及第2端面，并以第1端面朝向导电焊盘的状态进行配置，并且，连接端子构件经由接合部而接合于导电焊盘；以及树脂层，其形成于布线基板的第1主面上，并且以使该连接端子构件的第2端面露出的状态将上述电子部件及连接端子构件进行封装，上述接合部含有低熔点金属，该低熔点金属是Sn单体或者包含70重量％以上Sn的合金。

在本发明中，作为用于解决上述技术问题的技术方案有下述2个方面。

第1方面的特征在于，至少在连接端子构件的第2端面侧端部的周围配置有高熔点合金体，该高熔点合金体呈在连接端子构件的第2端面侧将连接端子构件与树脂层的界面封堵的状态，其中，所述高熔点合金体由低熔点金属与Cu-M类合金(M为Ni及/或Mn)所生成的金属间化合物构成。

根据该构成，即使在用于将电子部件模块安装到安装用基板上的回流工序中，构成接合部的接合材料再次熔融，由于已经通过由金属间化合物构成的高熔点合金体而形成所谓的“盖”，因此，也能够抑制接合材料漏出至电子部件模块的外侧。

优选在利用波长分散型X射线分析装置(WDX)对上述高熔点合金体的剖面进行分析时，在该高熔点合金体的剖面中至少存在Cu-Sn类、M-Sn类以及Cu-M-Sn类的金属间化合物，并且，在将该高熔点合金体的剖面沿纵向及横向分别均匀地分为10块、总计分为100块时，至少存在2种以上的构成元素不同的金属间化合物的块数相对于去除1块中仅存在Sn类金属成分的块后所剩余的总块数的比例(以下有时也称为“分散度”)在70％以上。

根据上述优选结构，由于在高熔点合金部的剖面中至少存在Cu-Sn类、M-Sn类以及Cu-M-Sn类等3种以上的金属间化合物，并且，高熔点合金部内的金属间化合物呈以70％以上的分散度良好地分散的状态，因而不易产生应力集中。因此，即使在因为热冲击等所产生的线膨胀系数差而导致产生歪斜、从而对高熔点合金部施加应力的情况下，也不易产生裂缝。

优选高熔点合金体不含有Sn类金属成分，即使在含有Sn类金属成分时，也优选其含有率在30体积％以下。在置于例如300℃以上的高温环境下时，Sn类金属成分有可能会再次熔融而流出，因而有可能导致高熔点合金体所带来的所谓的“盖”作用的可靠性降低。因此，通过将Sn类金属成分的含有率设为30体积％以下，能够抑制耐热性降低。

优选将高熔点合金体配置成覆盖连接端子构件的第2端面侧的整个端部。因为这样能够提高高熔点合金体所带来的所谓的“盖”作用的可靠性，并且能够进一步减少连接端子构件的焊料浸析(solder leaching)问题。