[发明专利]电子部件模块有效

专利信息
申请号: 201380031145.1 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN104364899B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 中越英雄;高木阳一;小川伸明;高冈英清;中野公介;镰田明彦;水白雅章 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/15;H01L25/00;H05K3/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陈力奕
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 部件 模块
【权利要求书】:

1.一种电子部件模块,其特征在于,包括:

布线基板,该布线基板具有互相相对的第1及第2主面;

电子部件,该电子部件至少安装在所述布线基板的所述第1主面上;

导电焊盘,该导电焊盘至少形成于所述布线基板的所述第1主面上;

柱状的连接端子构件,该连接端子构件具有互相相对的第1及第2端面,并以所述第1端面朝向所述导电焊盘的状态进行配置,并且,所述连接端子构件经由接合部而接合于所述导电焊盘;以及

树脂层,该树脂层形成于所述布线基板的所述第1主面上,并且以使所述连接端子构件的所述第2端面露出的状态将所述电子部件及所述连接端子构件进行封装,

所述接合部包含低熔点金属,该低熔点金属是Sn单体或者包含70重量%以上Sn的合金,

至少在所述连接端子构件的所述第2端面侧端部的周围配置有高熔点合金体,所述高熔点合金体呈在所述连接端子构件的所述第2端面侧将所述连接端子构件与所述树脂层的界面进行封堵的状态,其中,所述高熔点合金体由所述低熔点金属与Cu-M类合金所生成的金属间化合物构成,M为Ni、Mn、或者Ni和Mn两者。

2.如权利要求1所述的电子部件模块,其特征在于,

在利用波长分散型X射线分析装置对所述高熔点合金体的剖面进行分析时,在该高熔点合金体的剖面中至少存在Cu-Sn类、M-Sn类以及Cu-M-Sn类的金属间化合物,并且,在将该高熔点合金体的剖面沿纵向及横向分别均匀地分为10块、总计细分为100块时,至少存在2种以上的构成元素不同的金属间化合物的块数相对于将1块中仅存在Sn类金属成分的块去除后所剩余的总块数的比例在70%以上。

3.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其特征在于,

所述高熔点合金体包含30体积%以下的Sn类金属成分。

4.如权利要求3所述的电子部件模块,其特征在于,

所述高熔点合金体不含Sn类金属成分。

5.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其特征在于,

将所述高熔点合金体配置成覆盖所述连接端子构件的所述第2端面侧的整个端部。

6.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其特征在于,

所述连接端子构件由Cu-M类合金构成,所述Cu-M类合金能够与所述低熔点金属生成金属间化合物,并且,所述Cu-M类合金与所述金属间化合物的晶格常数差在50%以上,M为Ni、Mn、或者Ni和Mn两者。

7.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其特征在于,

所述连接端子构件具有形成于其表面的电镀膜,所述电镀膜由Cu-M类合金构成,所述Cu-M类合金能够与所述低熔点金属生成金属间化合物,并且,所述Cu-M类合金与所述金属间化合物的晶格常数差在50%以上,M为Ni、Mn、或者Ni和Mn两者。

8.如权利要求1或2所述的电子部件模块,其特征在于,

所述电子部件模块还具备安装在所述布线基板的所述第2主面上的电子部件。

9.一种电子部件模块,其特征在于,包括:

布线基板,该布线基板具有互相相对的第1及第2主面;

电子部件,该电子部件至少安装在所述布线基板的所述第1主面上;

导电焊盘,该导电焊盘至少形成于所述布线基板的所述第1主面上;

柱状的连接端子构件,该连接端子构件具有互相相对的第1及第2端面,并以所述第1端面朝向所述导电焊盘的状态进行配置,并且,所述连接端子构件经由接合部而接合于所述导电焊盘;以及

树脂层,该树脂层形成于所述布线基板的所述第1主面上,并且以使所述连接端子构件的所述第2端面露出的状态将所述电子部件及所述连接端子构件进行封装,

所述接合部包含低熔点金属,该低熔点金属是Sn单体或者包含70重量%以上Sn的合金,

至少所述连接端子构件的所述第2端面侧端部的周围由Cu-M类合金构成,其中,所述Cu-M类合金能够与所述低熔点金属生成金属间化合物,并且,所述Cu-M类合金与所述金属间化合物的晶格常数差在50%以上,M为Ni、Mn、或者Ni和Mn两者。

10.如权利要求9所述的电子部件模块,其特征在于,

所述低熔点金属是含有85重量%以上Sn的合金。

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