[发明专利]电力用半导体模块有效
申请号: | 201380025535.8 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN104303297B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 山下贤哉 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 半导体 模块 | ||
1.一种电力用半导体模块,其特征在于,包括:
第1框架,该第1框架配置有多个第1晶体管和第1二极管;
第2框架,该第2框架配置有多个第2晶体管和第2二极管;
第1中间框架,该第1中间框架与所述第1框架相邻;
第2中间框架,该第2中间框架与所述第2框架相邻;
第3框架,该第3框架与所述第1中间框架进行电连接,且配置于所述第1框架的上方;
第4框架,该第4框架与所述第2中间框架进行电连接,且配置于所述第2框架的上方;
电源端子,该电源端子设置于所述第1框架的延长部上;
接地端子,该接地端子设置于所述第4框架的延长部上;以及
输出端子,该输出端子设置于所述第2框架和所述第3框架进行电连接的延长部上,
所述第1晶体管的漏极与所述第1框架相连接,
所述第1晶体管的源极和所述第1二极管的阳极通过金属的第1连接线而与所述第1中间框架相连接,
所述第2晶体管的漏极与所述第2框架相连接,
所述第2晶体管的源极和所述第2二极管的阳极通过金属的第2连接线而与所述第2中间框架相连接,
所述第1晶体管和所述第2晶体管的附近配置有栅极端子和源极端子,
所有的所述框架都隔着由树脂类材料构成的绝缘体而配置于散热板上,所有的所述框架的至少一部分都被模塑树脂所覆盖,
对所述电源端子、所述接地端子及所述输出端子进行配置,使得所述第3框架和所述第4框架互相平行地进行配置,且所述第3框架和所述第4框架所产生的感应电压彼此反向。
2.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,
所述第1中间框架与所述第3框架的脚部相连接,
所述第2中间框架与所述第4框架的脚部相连接,
所述第3框架的脚部配置于多个所述第1连接线之间,
所述第4框架的脚部配置于多个所述第2连接线之间。
3.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,
所述第3框架以覆盖所述第1晶体管和所述第1二极管的上方的方式进行配置,
所述第4框架以覆盖所述第2晶体管和所述第2二极管的上方的方式进行配置。
4.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,
所述第1晶体管的栅极配置于与所述第1中间框架相反的一侧,
所述第2晶体管的栅极配置于与所述第2中间框架相反的一侧。
5.一种电力用半导体模块,其特征在于,包括:
第1金属导电体岛,该第1金属导电体岛配置有多个第1晶体管和第1二极管;
第2金属导电体岛,该第2金属导电体岛配置有多个第2晶体管和第2二极管;
第1中间金属导电体岛,该第1中间金属导电体岛与所述第1金属导电体岛相邻;
第2中间金属导电体岛,该第2中间金属导电体岛与所述第2金属导电体岛相邻;
第5框架,该第5框架与所述第1中间金属导电体岛进行电连接,且配置于所述第1金属导电体岛的上方;
第6框架,该第6框架与所述第2中间金属导电体岛进行电连接,且配置于所述第2金属导电体岛的上方;
电源端子,该电源端子设置于所述第1金属导电体岛的延长部上;
接地端子,该接地端子设置于所述第6框架的延长部上;以及
输出端子,该输出端子与所述第2金属导电体岛及所述第5框架进行电连接,并与所述第2金属导电体岛相连接,
所述第1晶体管的漏极与所述第1金属导电体岛相连接,
所述第1晶体管的源极和所述第1二极管的阳极通过金属的第1连接线而与所述第1中间金属导电体岛相连接,
所述第2晶体管的漏极与所述第2金属导电体岛相连接,
所述第2晶体管的源极和所述第2二极管的阳极通过金属的第2连接线而与所述第2中间金属导电体岛相连接,
所述第1晶体管和所述第2晶体管的附近配置有栅极端子和源极端子,
所有的所述金属导电体岛都隔着由陶瓷材料构成的绝缘体而配置于散热板上,所有的所述金属导电体岛的至少一部分都被凝胶状的树脂所覆盖,
对所述电源端子、所述接地端子及所述输出端子进行配置,使得所述第5框架和所述第6框架互相平行地进行配置,且所述第5框架和所述第6框架所产生的感应电压彼此反向。
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