[发明专利]制造芯片封装基板的方法和制造芯片封装的方法有效
| 申请号： | 201380020415.9 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN104247006B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金弘壹 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,彭鲲鹏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装基板，包括：
包括过孔的基础基板；
形成在所述基础基板的与所述过孔对应的区域中的电路图案层；和
形成在所述电路图案层的与接触所述过孔的一个表面相反的另一表面上的第一镀覆层，
其中所述基础基板包括：
粘合层；
下粘合层；以及
设置在所述粘合层和所述下粘合层之间的绝缘层，
其中所述第一镀覆层包括：
设置在所述电路图案层上的第一Ni层，
由Ni、P和B的合金制成并且设置在所述第一Ni层上的第一合金层；以及
设置在所述第一合金层上的第一Au层，
其中所述第一Ni层的厚度厚于所述第一合金层的厚度，以及所述第一合金层的厚度厚于所述第一Au层的厚度。
2.根据权利要求1所述的芯片封装基板，还包括形成在所述电路图案层的接触所述过孔的所述一个表面上的第二镀覆层。
3.根据权利要求2所述的芯片封装基板，其中，所述电路图案层的所述一个表面是在接合至芯片的接合区一侧的表面。
4.根据权利要求1所述的芯片封装基板，其中，所述电路图案层的所述另一表面是在露出所述电路图案层的一侧的表面。
5.根据权利要求2所述的芯片封装基板，其中，所述第二镀覆层包括：
形成在所述电路图案层上的第二Ni层；
由Ni、P和B的合金制成并且形成在所述第二Ni层上的第二合金层；和
形成在所述第二合金层上的第二Au层。
6.根据权利要求1所述的芯片封装基板，其中，所述第一合金层形成的厚度为0.5±0.02μm，并且所述第一Au层形成的厚度为0.05±0.02μm。
7.根据权利要求5所述的芯片封装基板，其中，所述第二合金层形成的厚度为0.5±0.02μm，并且所述第二Au层形成的厚度为0.05±0.02μm。
8.根据权利要求1所述的芯片封装基板，其中所述第一Ni层形成的厚度为2.5±0.5μm。
9.根据权利要求5所述的芯片封装基板，其中所述第二Ni层形成的厚度为2.5±0.5μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380020415.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
