[实用新型]半导体晶片的承载座有效
| 申请号: | 201320727492.5 | 申请日: | 2013-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN203553123U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
| 发明(设计)人: | 陈建佑;吴晋安 | 申请(专利权)人: | 一诠精密电子工业(中国)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人: | 孙刚 |
| 地址: | 215323 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 晶片 承载 | ||
技术领域
本实用新型有关于一种承载座,尤指一种半导体晶片的承载座。
背景技术
半导体晶片使用时,通常需要将其安装在半导体晶片专用的承载座里,再藉由承载座电性连接电路板,而将半导体晶片布设于电路板上;半导体晶片通常可为发光二极体或红外线晶片等,主要可用来制作灯具或红外线感测器等使用。
由于半导体晶片所发出来的光线具有方向性且具有固定的发光角;因此如果半导体晶片为发光二极体时,则会产生布光不均匀的状况;如果半导体晶片为红外线晶片时,则较容易发生感应不良的状况发生;所以扩大半导体晶片所发出的光线的范围,为亟待改善的课题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种半导体晶片的承载座,其利用反射板对应开口和半导体晶片配设,使之半导体晶片所发出的光线晶由反射板反射,而达到扩大照射范围的效果。
为了达成上述的目的,本实用新型一种半导体晶片的承载座,其特征在于包括:
一基板;
一围墙,成型在该基板上,该围墙和该基板之间形成有供所述半导体晶片容置的一容置空间,所述半导体晶片电性连接该基板,该围墙的一侧设有一开口;以及
一反射板,自该基板弯折且形成在该开口内,该反射板对应所述半导体晶片配设并和该基板之间形成有一钝角。
其中,该钝角的角度介于91度至179度之间。
其中,该钝角的角度介于110度至160度之间。
其中,该基板包含一金属板体及一绝缘部件,该金属板体开设有弯曲的一穿槽,该绝缘部件固定在该穿槽内且将该金属板体区分成一散热部及一导电部,该散热部和部分该导电部位在该容置空间内,所述半导体晶片贴接该散热部且电性连接该导电部。
其中,该围墙固定在该金属板体和该绝缘部件上,该围墙和该绝缘部件将位在该容置空间内的该导电部围设区分形成数个电极区,所述半导体晶片电性连接各该电极区。
其中,该导电部在远离该电极区的一端延伸有一插接端子,该插接端子凸露出该围墙的端面。
其中,该开口位在该散热部远离该导电部的一侧,该反射板位在该散热部邻近该开口的一端。
其中,该穿槽的内壁面具有数个第一曲折面,该绝缘部件的外侧周面具有数个第二曲折面,每一该第一曲折面和每一该第二曲折面相对应固接。
其中,该反射板邻近该容置空间的一侧面涂布有一反射涂层。
其中,所述的半导体晶片包括一导电陶瓷板及二晶片单元,该导电陶瓷板为一矩形长条体,在该矩形长条体的顶面和前侧面位置分别平贴有该晶片单元,该前侧面的晶片单元对应于该反射板的位置配设。
本实用新型还具有以下功效,第一点,将半导体晶片贴接在散热部的设计,以达到对半导体晶片散热的效果;第二点,藉由每一第一曲折面和每一第二曲折面相对应固接,可使绝缘部件和金属板体具有较佳的结合强度。
附图说明
图1:本实用新型的立体外观图。
图2:本实用新型的仰视图。
图3:本实用新型结合半导体晶片的俯视图。
图4:本实用新型的使用状态剖视图。
图5:本实用新型的金属板体下料后的素材立体图。
图6:本实用新型的另一实施例俯视图。
具体实施方式
有关本实用新型的详细说明及技术内容,配合图式说明如下,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。
请参照图1至图3所示,本实用新型提供一种半导体晶片的承载座1,其主要包括有一基板10、一围墙20及一反射板30。
基板10包含有一金属板体11及一绝缘部件12,金属板体11开设有弯曲的一穿槽111(如图5所示),绝缘部件12固定在穿槽111内且将金属板体11区分成一散热部112及一导电部113;穿槽111和绝缘部件12分别呈一弓字状;穿槽111的内壁面具有数个第一曲折面1111,绝缘部件12的外侧周面具有数个第二曲折面121,每一第一曲折面1111和每一第二曲折面121相对应固接;另外,绝缘部件12为一绝缘塑胶元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





