[实用新型]半导体晶片的承载座

权利要求书

1.一种半导体晶片的承载座，其特征在于包括：

一基板；

一围墙，成型在该基板上，该围墙和该基板之间形成有供所述半导体晶片容置的一容置空间，所述半导体晶片电性连接该基板，该围墙的一侧设有一开口；以及

一反射板，自该基板弯折且形成在该开口内，该反射板对应所述半导体晶片配设并和该基板之间形成有一钝角。

2.如权利要求1所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该钝角的角度介于91度至179度之间。

3.如权利要求2所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该钝角的角度介于110度至160度之间。

4.如权利要求1所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该基板包含一金属板体及一绝缘部件，该金属板体开设有弯曲的一穿槽，该绝缘部件固定在该穿槽内且将该金属板体区分成一散热部及一导电部，该散热部和部分该导电部位在该容置空间内，所述半导体晶片贴接该散热部且电性连接该导电部。

5.如权利要求4所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该围墙固定在该金属板体和该绝缘部件上，该围墙和该绝缘部件将位在该容置空间内的该导电部围设区分形成数个电极区，所述半导体晶片电性连接各该电极区。

6.如权利要求5所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该导电部在远离该电极区的一端延伸有一插接端子，该插接端子凸露出该围墙的端面。

7.如权利要求4所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该开口位在该散热部远离该导电部的一侧，该反射板位在该散热部邻近该开口的一端。

8.如权利要求4所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该穿槽的内壁面具有数个第一曲折面，该绝缘部件的外侧周面具有数个第二曲折面，每一该第一曲折面和每一该第二曲折面相对应固接。

9.如权利要求1所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，该反射板邻近该容置空间的一侧面涂布有一反射涂层。

10.如权利要求1所述的半导体晶片的承载座，其特征在于，所述的半导体晶片包括一导电陶瓷板及二晶片单元，该导电陶瓷板为一矩形长条体，在该矩形长条体的顶面和前侧面位置分别平贴有该晶片单元，该前侧面的晶片单元对应于该反射板的位置配设。