[实用新型]监测漏电的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种监测漏电的结构。

背景技术

在半导体制造过程中，沉积薄膜有可能形成缺陷(defect)，在进行刻蚀时，刻蚀会沿着缺陷过刻蚀，会导致不应被刻蚀掉的部分被刻蚀穿。具体的，请参考图1，在半导体衬底10上依次形成第一介质层20、第二介质层30以及第三介质层40，然而在所述第二介质层30的表面形成有缺陷31；在对所述第三介质层40进行刻蚀形成沟槽时，正常情况下，刻蚀会停止在所述第二介质层30的表面，由于存在缺陷31，刻蚀会过刻蚀，将所述第一介质层20刻蚀穿，并保留出半导体衬底10，如图2所示；接着，在所述沟槽内填充铜50时，由于暴露出了所述半导体衬底10会导致铜50与所述半导体衬底10短接，会造成短路，严重会导致半导体器件报废。

现有技术中监测漏电的结构如图4所示，包括：第一金属盘61，第二金属盘62，与第一金属盘61和第二金属盘62相连的蛇形金属线80以及靠近于蛇形金属线80的两根插指金属线70，所述插指金属线70各连接一测试盘；在具体测试中，可以测量两个测试盘之间的电流或电压，以监测蛇形金属线80与插指金属线70之间是否存在漏电。

然而，现有技术中的监测漏电仅仅能监测同一层内的金属线之间是否存在漏电，若出现上文所述的不同层之间出现短接产生漏电的情况并不能被监测到。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种监测漏电的结构，能够监测不同层之间是

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，所述结构包括：

同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层，其中，所述相邻监测层包括导电层以及与所述导电层相连的导电线。

进一步的，所述导电层的材质为多晶硅或铜。

进一步的，所述导电线的材质为铜。

进一步的，所述相邻监测层还包括第一测试盘，所述第一测试盘与所述导电线相连。

进一步的，所述第一测试盘的材质为铝。

进一步的，所述同层监测结构包括第一金属盘、第二金属盘、连接所述第一金属盘和第二金属盘的蛇形金属线以及靠近所述蛇形金属线的两根插指金属线。

进一步的，所述第一金属盘、第二金属盘、蛇形金属线以及插指金属线的材质均为铜。

进一步的，所述插指金属线连有第二测试盘和第三测试盘。

进一步的，所述第二测试盘和第三测试盘的材质为铝。

进一步的，所述蛇形金属和插指金属线之间形成有介质层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：在同层监测结构之下或者之上形成有相邻监测层，同层监测结构与相邻监测层之间形成有介质层起隔离作用，在进行监测时，可以通过测量同层监测结构与相邻监测层之间是否存在漏电流或电压便能够监测出不同层之间是否存在漏电的情况。

附图说明

图1至图3为薄膜之间存在缺陷被过刻蚀过程中的结构示意图；

图4为现有技术中监测漏电的结构的俯视图；

图5为本实用新型一实施中监测漏电的结构的俯视图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的监测漏电的结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图5，在本实施例中，提出了一种监测漏电的结构，用于监测不同层之间的漏电情况，所述结构包括：

同层监测结构、相邻监测层以及形成于所述同层监测结构和所述相邻监测层之间的介质层（图未示出），所述介质层用于隔离所述同层监测结构和相邻监测层。