[实用新型]一种加厚型IC芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路领域，尤其涉及可调精度调整器芯片，包括双层钝化层和加宽的阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点。

背景技术

近来来电子产业发展突飞猛进，各种新型芯片应运而生。用于半导体集成电路可调精度调整器芯片的制作也有了飞速发展；这种可调精度调整器的产品国际通用专称为431芯片，如国外的称之为IL431和LM431，不同公司的名称冠以不同的英文厂名，如GGA公司生产的431芯片则称为GGA431芯片。

在集成电路行业，封装技术封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB（印制电路板）的设计和制造，因此它是至关重要的。芯片用封装技术可有两种形式，一种为To-92和Sot-23，其中前者用于一般线路板上焊接，并安装在低压稳压线路内。后者用于表面贴膜装波峰焊的低压稳压电路内。这类低压电源精度调整器件已用于计算机识别器以及手机充电器电源。各种用途的低压稳压电源均有选用，因而用量极大。

431芯片的精度对档率分为三种：

Ⅰ档0.3%-0.5%，Ⅱ档1%，Ⅲ档2%；其中电子整机要求用Ⅰ档率为0.5%的产品，要求高一些的用0.3%的；手机充电器等用Ⅱ档1%，其价格比Ⅰ档低20%；Ⅲ档的产品为不良品，仅仅极少数的客户会使用。根据测试，用以往的技术方案得到的431M芯片的Ⅰ档对档率为69.95%，Ⅱ档对档率为22.01%，Ⅲ档对档率为2.99%；

431芯片与其他集成电路芯片相比有一特点，即当完成芯片制作流程后，测试时需要调整安装在芯片上的电阻网络，从而调整参考电压的精度，经调整后再进行封装。在封装过程中高温的塑料、芯片的大小以及封装用框架材料的强度均对产品的性能产生影响，使得每一个工厂生产的每一批芯片其封装后所测得的对档率均不相同。由于不同的封装厂所用塑料材料不同，设备不同，其影响结果也不一样。IC芯片生产厂家说是封装厂有问题，封装厂家说IC生产厂家有问题，互相斥责却解决不了问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种加厚型IC芯片，其目的是解决已试调电阻网络的431芯片的多晶硅微欧级电阻在封装处理过程中随着各种温度、压力变化而变化的问题以及影响IC芯片档次的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提出的技术方案是：一种加厚型IC芯片，包括自下而上依次设置的硅片层、外延层、铝层、钝化层以及设置与钝化层之上的阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点，所述的钝化层为双钝化层结构，其总厚度为2.5-3.5μm，所述阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点错开分布于IC芯片的同一边缘位置。

优选的，所述双钝化层的总厚度为2.5-3.5μm，其中至少有一层钝化层厚度为1.5μm。

优选的，所述的阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点的形状为四边形。

优选的，所述的阴极压焊点、阳极压焊点和参考端压焊点的长和宽均为120μm×120μm。

本实用新型的有益效果是：采用本实用新型的技术方案，使经试调电阻网络后的431芯片的多晶硅微欧级电阻在经封装处理过程不受各种温度、压力变化的影响，同时提高IC芯片的档次；经过生产测试，采用本实用新型的技术方案得到的431芯片的Ⅰ档率达到93.44%，Ⅱ档率仅为5.96%，不存在Ⅲ档率的产品，该技术方案大幅度提高了对档率Ⅰ档的比例，经济效益更好。

附图说明

图1为本实用新型一种加厚型芯片的界面示意图；

图2为本实用新型一种加厚型芯片的俯视框图。

具体实施方式

下面将结合附图1、图2对本实用新型一种加厚型芯片做进一步的说明，但不应以此来限定本实用新型的保护范围。

如图1所示，一种加厚型芯片，包括硅片层1、外延层2、铝层3、钝化层0；所述的硅片层1上面结合有外延层2，所述外延层2上表面涂覆一铝层3，所述铝层3上面结合有一钝化层0。所述的钝化层0为双层结构，其总厚度为2.5-3.5μm。较之以往的只有一层钝化层并且厚度约仅为1.5μm的431芯片，本实用新型的钝化层0为双层结构，至少有一层厚度为1.5μm，这样能使得431芯片的性能在封装过程中不会收到温度、压力的影响，其微欧级电阻也不会受到影响。