[实用新型]硅基射频滤波电容排有效
| 申请号： | 201320486563.7 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN203445115U | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王绍东;蒋赞勤;朴贞真;吴洪江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 滤波 电容 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基射频滤波电容排，其特征在于自下而上包括下电极（4）、低阻硅衬底（3）、薄膜介质（1）和上电极；所述上电极由一系列独立的电极条（2）组成，所述电极条（2）呈条状并列纵贯于薄膜介质（1）上，所述电极条（2）的端口A和端口B分别位于薄膜介质（1）相对的两端。
2.根据权利要求1所述的硅基射频滤波电容排，其特征在于所述电极条（2）呈直线状或折线状。
3.根据权利要求1或2所述的硅基射频滤波电容排，其特征在于各电极条（2）的端口A等距并行排列，端口B也为等距并行排列。
4.根据权利要求3所述的硅基射频滤波电容排，其特征在于所述端口A之间的距离为：0.15mm，端口B之间的距离为：0.25mm。
5.根据权利要求1所述的硅基射频滤波电容排，其特征在于所述上电极的四周与薄膜介质（1）的四周边缘之间保留有至少0.02mm的区域。
6.根据权利要求1所述的硅基射频滤波电容排，其特征在于所述低阻硅衬底（3）的电阻率为0.0011-0.0013Ω· cm3，或0.002-0.003Ω·cm3，介电常数为11.7。
7.根据权利要求1所述的硅基射频滤波电容排，其特征在于所述薄膜介质（1）为双层介质层。
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