[实用新型]一种IGBT模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及功率模块领域，尤其涉及一种IGBT模块。

背景技术

随着电子技术的发展，功率模块被广泛的应用于各种电子产品中，尤其是IGBT模块，其广泛的应用于带有开关电源的控制器以及电动汽车控制器等各个领域。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是80年代中期问世的一种复合型电力电子器件, 从结构上说，相当于一个由MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效晶体管）驱动的厚基区的BJT（Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管）, IGBT既有MOSFET的快速响应、高输入阻抗、热稳定性好、驱动电路简单的特性，也具备BJT的电流密度高、通态压降低，耐压高的特性，被广泛应用于电力电子设备中。

现有IGBT模块底座一般是采用铜材冲压或铸造成型，其结构一般都比较简单。IGBT模块通常需要安装到其它部件或电路中，例如通常需要将IGBT模块安装到散热体上后一起连接到电路中。但将IGBT模块进行安装时其通常会使得IGBT模块的底座发生形变且使底座上的电子元器件容易受到损伤，进而降低了IGBT模块的电性能的可靠性及产品良率。同时，现有技术中IGBT模块由于其上面正电极与负电极之间的爬电距离较小，以致IGBT模块容易被击穿短路。

可以理解的是，本部分的陈述仅提供与本实用新型相关的背景信息，可能构成或不构成所谓的现有技术。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有技术中上述缺陷，，提供一种既可以减少安装时外界对电子元器件的损伤，也能避免IGBT模块短路，进而可以提高产品电性能及良率的IGBT模块。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种IGBT模块，其包括壳体、固定于壳体内的底座、及安装于底座的顶面处且包括IGBT芯片的电子元器件，所述底座的顶面设置有多组与所述IGBT芯片相对应的正电极及多组与所述正电极相对应的负电极；所述底座的边缘处设置有若干个安装孔及穿过安装孔用于将底座固定于壳体内的固定件，所述底座的顶面还设置有若干个凹槽，每个所述凹槽位于一安装孔与电子元器件之间。

在上述IGBT模块中，所述凹槽的深度为所述底座的厚度的20%—95%。

在上述IGBT模块中，所述凹槽均匀的分布于所述底座上。

在上述IGBT模块中，所述凹槽的中间部分的深度小于凹槽边缘部分的深度。

在上述IGBT模块中，所述凹槽的深度为2-4mm，所述凹槽的宽度为1-2mm。

在上述IGBT模块中，所述隔离层、凹槽及底座一体成型。

在上述IGBT模块中，所述隔离层的形状为圆柱体、立方体或者三菱柱。

之间在上述IGBT模块中，每个所述安装孔与电子元器件之间设置有多个等间距排列的凹槽。

在上述IGBT模块中，所述多个等间距排列的凹槽呈L型。

在上述IGBT模块中，每个安装孔与电子元器件之间的凹槽的数量及形状均相同。

本实用新型提供的IGBT模块，其主要通过在底座的顶面设置若干个凹槽，且使凹槽位于安装孔与电子元器件之间。当IGBT模块的底座在与外界进行安装固定时，底座的四周被固定件压紧了，由于凹槽对力的分解作用，所以外界的安装力在传递到凹槽所在位置时，由于凹槽处底座较薄，其在力的作用下会发生塑性变形来缓解安装力，这样就会使离凹槽有一定的距离的电子元器件受到的力大大减小，进而可以减少安装时外力对电子元器件的损伤，从而提高IGBT模块的电性能及产品的良率；同时，其在底座的顶面设置有多个绝缘的隔离层，且每个隔离层位于底座上一IGBT芯片的正电极和负电极的之间，从而使得正电极与负电极到隔离层的距离相等且能提高正电极与负电极之间的爬电距离，故其能防止正电极或者负电极的某一端被击穿短路，进而更好的保护IGBT模块。  

附图说明

图1是本实用新型提供的一实施例中IGBT模块的部分结构示意图；

图2是本实用新型提供的一实施例中IGBT模块的底座的部分结构示意图；

图3是本实用新型提供的一实施例中IGBT模块的结构示意图；

图4是本实用新型提供的又一实施例中IGBT模块的底座的部分结构示意图。  

具体实施方式