[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体装置。

背景技术

通常的槽栅型IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的构造如图1所示，其为专利文献1（特开2005-57028号，三垦电气株式会社）的附图。

但是，在专利文献1中，发射极的焊盘区域的正下方也形成有IGBT元件。一般来说，在焊盘区域的下方至少会形成有数十个槽栅。例如，如专利文献1那样，为了使从基板突出的层间绝缘膜与发射极及基极区接触以覆盖在各个槽栅上，交替形成层间绝缘膜开口的区域，以及如图1所示，在发射极的焊盘区域的上表面形成凹凸。使用热、超声波、压力，使配线与发射极的焊盘区域接触时，由于存在该凹凸而无法得到良好的贴合性，相反地，若为了得到良好的贴合性而施加大量的热、超声波、压力，其下的层间绝缘膜就会变得容易剥落。特别是，一旦相邻槽栅间变得狭窄，与之相应地，发射极的焊盘区域就会产生更多的凹凸，并且凹凸的倾斜度变大。从而使得配线与发射极的焊盘区域贴合的面积更小。

应该注意，上面对技术背景的介绍或技术问题的分析只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案或分析在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案或分析为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

鉴于背景技术指出的问题，本实用新型提供了一种半导体装置。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种半导体装置，其具有半导体基板，所述半导体基板具有：第一导电型的集电极区；设置于所述集电极区上的、与所述第一导电型相反的第二导电型的漂移区；设置于所述漂移区上的第一导电型的基极区；以及设置于所述漂移区上的第二导电型的发射极区；

其中，所述半导体装置还具有：

形成在从所述发射极区至所述漂移区的槽位；

在所述槽位的底部以及侧壁上通过栅绝缘膜而设置的栅电极；

在所述栅电极上以及所述半导体基板的一方的主平面上设置的绝缘膜；

形成在从所述绝缘膜的表面至所述半导体基板的一方的主平面上的所述发射极区或所述基极区的、且比所述槽位的宽度窄的贯通孔；

形成于所述贯通孔内的、与所述发射极区或所述基极区连接的第一电极的第一部分；

延伸到所述绝缘膜上，与所述第一电极的第一部分连接的，由与所述第一电极的第一部分不同材料制成的第一电极的第二部分。

根据本实用新型的第二方面，提供了一种如第一方面所述的半导体装置，其中，所述第一电极的第一部分由含钨金属形成。

通过本实用新型的半导体装置，可以实现装置的小型化。

根据本实用新型的第三方面，提供了一种如第二方面所述的半导体装置，其中，所述第一电极的第一部分是由比所述层间绝缘膜更硬的材料构成。

通过本实用新型的半导体装置，可以抑制第一电极的第一部分的剥落。

根据本实用新型的第四方面，提供了一种如第三方面所述的半导体装置，其中，所述第一电极的第一部分是由比所述第一电极的第二部分流动性更高的材料构成。

通过本实用新型的半导体装置，可以实现装置的小型化。

根据本实用新型的第五方面，提供了一种如第一方面至第四方面任一方面所述的半导体装置，其中，所述第一电极的第一部分的表面的厚度是所述绝缘膜的厚度的一半以上，且比所述绝缘膜的厚度小，所述第一电极的第二部分伸入所述贯通孔内。

根据本实用新型的第六方面，提供了一种如第五方面所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜的表面是平坦的。

通过本实用新型的半导体装置，可以抑制层间绝缘膜的剥落。

根据本实用新型的第七方面，提供了一种如第六方面所述的半导体装置，其中，在相邻的所述槽位之间具有上述基极区和所述发射极区，所述贯通孔分别设置在所述基极区和所述发射极区，所述贯通孔之间设置有层间绝缘膜。

通过本实用新型的半导体装置，可以实现第一电极与焊线很好地连接。

参照后文的说明和附图，详细公开了本实用新型的特定实施方式，指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解，本实用新型的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本实用新型的实施方式包括许多改变、修改和等同。