[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有半导体基板，所述半导体基板具有：第一导电型的集电极区；设置于所述集电极区上的、与所述第一导电型相反的第二导电型的漂移区；设置于所述漂移区上的第一导电型的基极区；以及设置于所述漂移区上的第二导电型的发射极区； 

其中，所述半导体装置还具有： 

形成在从所述发射极区至所述漂移区的槽位； 

在所述槽位的底部以及侧壁上通过栅绝缘膜而设置的栅电极； 

在所述栅电极上以及所述半导体基板的一方的主平面上设置的绝缘膜； 

形成在从所述绝缘膜的表面至所述半导体基板的一方的主平面上的所述发射极区或所述基极区的、且比所述槽位的宽度窄的贯通孔； 

形成于所述贯通孔内的、与所述发射极区或所述基极区连接的第一电极的第一部分； 

延伸到所述绝缘膜上，与所述第一电极的第一部分连接的，由与所述第一电极的第一部分不同材料制成的第一电极的第二部分。 

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电极的第一部分由含钨金属形成。 

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一电极的第一部分是由比所述绝缘膜更硬的材料构成。 

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，构成所述第一电极的第一部分的材料的流动性比构成所述第一电极的第二部分的材料的流动性高。 

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体装置，其中，所述第一电极的第一部分的表面的厚度是所述绝缘膜的厚度的一半以上，且比所述绝缘膜的厚度小，所述第一电极的第二部分伸入所述贯通孔内。 

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜的表面是平坦的。 

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在相邻的所述槽位之间具有上述基极区和所述发射极区，所述贯通孔分别设置在所述基极区和所述发射极区，所述贯通孔之间设置有层间绝缘膜。