[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。

背景技术

如图1所示，为一现有显示面板1的结构示意图，包括：显示区10，布置在显示区10周围的栅极驱动电路20，显示区10下方的IC电路30，位于栅极驱动电路上的胶框区域（为使附图清晰显示，图中为标记），其中，显示区10包括多条栅极和多条数据线围绕而成的像素单元，各像素单元包含像素电极，通过与一TFT（Thin film transistor，薄膜晶体管）进行开关控制，进而显示图像。驱动电路20也包括多个TFT，每个TFT与一条不同的栅极或数据线连接，通过TFT的控制，将驱动电压加载至对应的栅极线或数据线，以实现对栅极或数据线的驱动。

现有驱动电路的TFT结构由于栅极遮挡光通过的原因，存在显示区周边胶框硬化不良的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、液晶显示器。

一种阵列基板，包括显示区和设在所述显示区周围的驱动电路，其中，所述驱动电路包含多个TFT，至少一个TFT包括第一子TFT和第二子TFT：所述第一子TFT和第二子TFT之间通过一第一跨桥电连接，其中，所述第一跨桥的的材料为透明导电材料。

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法：包括：

步骤A：提供一基板，沉积第一金属层，图案化分别形成第一栅极和第二栅极，并在所述第一栅极和第二栅极上方沉积第一绝缘材料，形成栅绝缘层；

步骤B：在所述栅绝缘层上沉积半导体材料，并图案化分别形成位于第一栅极和第二栅极上方的第一有源层以及第二有源层；在所述第一有源层和第二有源层上方沉积第二绝缘材料，形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积第二金属材料，分别图案化形成源极和漏极，且沉积第一透明导电材料，图案化形成第一跨桥；在所述刻蚀阻挡层、源极、漏极以及第一跨桥上方沉积第三绝缘材料，形成钝化层，并通过刻蚀工艺形成第一过孔、第二过孔、第三过孔以及第四过孔。

步骤C：在钝化层上沉积第二透明导电材料，并图案化形成第一透明导电电极、第二透明导电电极、第三透明导电电极以及第四透明导电电极；其中，所述第一透明导电电极通过所述第一过孔能使源极和第一有源层电连接，所述第二透明导电电极通过所述第二过孔能使第一有源层和第一跨桥电连接，所述第三透明导电电极通过第三过孔能使第二有源层与第一跨桥电连接，所述第四透明导电电极通过第四过孔能使第二有源层与漏极电连接。

本发明还提供了一种液晶显示器，包括：上述任一项的TFT阵列基板。

综上：采用上述本发明技术方案得到的阵列基板，可解决采用薄膜晶体管制造栅电极驱动电路时，容易出现封框胶固化不良的问题。

附图说明

图1为现有技术一显示面板的结构示意图；

图2为本发明一实施例薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图3为图2中AA'位置的横截面示意图；

图4为图3实施例光透过的效果示意图；

图5为制造图2实施例薄膜晶体管阵列基板的工艺流程图；

图6为本发明另一实施例薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图7为本发明另一实施例薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图8为制造图7实施例薄膜晶体管阵列基板的工艺流程图；

图9为本发明另一实施例薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图10为制造图9实施例薄膜晶体管阵列基板的工艺流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明一实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板栅驱动电路区域TFT的结构示意图可以如图2所示，图3为图2中AA’位置的横截面示意图，下面结合图2和图3对本实施例提供的薄膜晶体管阵列基板进行说明。