[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示器

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区和设在所述显示区周围的驱动电路，其中，所述驱动电路包含多个TFT，至少一个TFT包括第一子TFT和第二子TFT：

所述第一子TFT和第二子TFT之间通过一第一跨桥电连接，其中，所述第一跨桥的的材料为透明导电材料。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料为ITO或IZO。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包含一基板，所述第一子TFT包含设置在所述基板上的第一栅极，以及第一栅极上方的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上的第一有源层，形成在第一有源层上的刻蚀阻挡层，形成在刻蚀阻挡层上方且分别与所述第一有源层电连接的第一电极以及第二电极，形成在刻蚀阻挡层上方的钝化层；所述第二子TFT包含设置在所述基板上的第二栅极，以及第二栅极上方的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上的第二有源层，形成在第二有源层上的刻蚀阻挡层，形成在刻蚀阻挡层上方且分别与所述第二有源层电连接的第三电极以及第四电极，形成在刻蚀阻挡层上方的钝化层，其中，所述基板上的第一栅极和第二栅极形成间隔区域，且所述第一跨桥在垂直方向上与所述间隔区域重叠。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极包含源极以及第一透明导电电极，其中，所述源极与第一有源层通过所述第一透明导电电极电连接；所述第二电极包含第二透明导电电极；所述第四电极包含漏极以及第四透明导电电极，其中，所述漏极与第二有源层通过所述第四透明导电电极电连接；所述第三电极包含第三透明导电电极；其中，所述第二透明导电电极与第三透明导电电极与所述第一跨桥电连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电电极、第二透明导电电极、第三透明导电电极和第四透明导电电极为同层结构。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明导电电极、第三透明导电电极与第一跨桥为同层结构，且均位于所述钝化层的下方。

7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述第一电极包含与所述第一有源层直接接触的源极；所述第二电极包含第二透明导电电极；所述第三电极包含第三透明导电电极；所述第四电极包含与所述第二有源层直接接触的漏极，其中，所述第二透明导电电极、第三透明导电电极与第一跨桥为同层结构。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：所述第二电极还包含位于第一有源层和源极之间的第二金属层，其中，所述第二透明导电电极通过第二金属层与所述第一有源层电连接；所述第三电极还包含位于第二有源层和地第三透明导电电极之间的第三金属层，其中，所述第三透明导电电极通过第三金属层与所述第二有源层电连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于：所述第二透明电极、第三透明电极以及第一跨桥形成在所述钝化层上。

10.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子TFT和第二子TFT的栅绝缘层，刻蚀阻挡层以及钝化层分别设置为同层结构。

11.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为氧化物半导体，或a-Si。

12.一种阵列基板的制造方法：包括：

步骤A：提供一基板，沉积第一金属层，图案化分别形成第一栅极和第二栅极，并在所述第一栅极和第二栅极上方沉积第一绝缘材料，形成栅绝缘层；

步骤B：在所述栅绝缘层上沉积半导体材料，并图案化分别形成位于第一栅极和第二栅极上方的第一有源层以及第二有源层；在所述第一有源层和第二有源层上方沉积第二绝缘材料，形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积第二金属材料，分别图案化形成源极和漏极，且沉积第一透明导电材料，图案化形成第一跨桥；在所述刻蚀阻挡层、源极、漏极以及第一跨桥上方沉积第三绝缘材料，形成钝化层，并通过刻蚀工艺形成第一过孔、第二过孔、第三过孔以及第四过孔。

步骤C：在钝化层上沉积第二透明导电材料，并图案化形成第一透明导电电极、第二透明导电电极、第三透明导电电极以及第四透明导电电极；其中，所述第一透明导电电极通过所述第一过孔能使源极和第一有源层电连接，所述第二透明导电电极通过所述第二过孔能使第一有源层和第一跨桥电连接，所述第三透明导电电极通过第三过孔能使第二有源层与第一跨桥电连接，所述第四透明导电电极通过第四过孔能使第二有源层与漏极电连接。