[发明专利]具有纳米线的集成电路有效
| 申请号： | 201310688355.X | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104425410A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;黄俊嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 集成电路 | ||
1.一种集成电路，包括：
衬底，具有金属氧化物半导体（MOS）区；
位于所述MOS区中的第一器件的第一栅极区、第一源极区和第一漏极区，其中，所述第一栅极区具有第一长度；
第一纳米线组，设置在所述第一栅极区中，所述第一纳米线组包括具有第一直径的纳米线，并连接至所述第一源极区中的第一部件和所述第一漏极区中的所述第一部件；
位于所述MOS区中的第二器件的第二栅极区、第二源极区和第二漏极区，其中，所述第二栅极区具有第二长度；以及
第二纳米线组，设置在所述第二栅极区中，所述第二纳米线组包括具有第二直径的纳米线，并连接至所述第二源极区中的第二部件和所述第二漏极区中的所述第二部件，
其中，如果所述第一长度大于所述第二长度，则所述第一直径小于所述第二直径；以及
其中，如果所述第一长度小于所述第二长度，则所述第一直径大于所述第二直径。
2.根据权利要求1所述的IC，还包括：
多个所述第一纳米线组，设置在所述第一栅极区中，两个相邻的所述第一纳米线组的纳米线之间具有不同的间距；以及
其中，当所述间距改变时，所述第一纳米线组的第一直径改变。
3.根据权利要求1所述的IC，其中，所述第一长度和所述第二长度的差值约为20%。
4.根据权利要求1所述的IC，其中，所述第一纳米线组和所述第二纳米线组包括半导体材料。
5.一种集成电路（IC），包括：
衬底，具有金属氧化物半导体（MOS）区；
位于所述MOS区中的第一器件的第一栅极区、第一源极区和第一漏极区，其中，所述MOS区具有第一栅极区长度；
多个第一纳米线组，设置在所述第一栅极区中，在两个相邻的第一纳米线组之间具有不同的间距，所述第一纳米线组包括具有第一直径的纳米线并连接至所述第一源极区中的公共部件和所述第一漏极区中的公共部件；其中，如果不同的第一纳米线组具有不同的间距，则所述第一纳米线组的第一直径与所述不同的第一纳米线组的第一直径不同；
位于所述MOS区中的第二器件的第二栅极区、第二源极区和第二漏极区，其中，所述MOS区具有第二栅极区长度；
第二纳米线组，设置在所述第二栅极区中，所述第二纳米线组包括具有第二直径的纳米线并连接至所述第二源极区中的部件和所述第二漏极区中的部件，
其中，如果所述第一长度大于所述第二长度，则所述第一直径小于所述第二直径；以及
其中，如果所述第一长度小于所述第二长度，则所述第一直径大于所述第二直径。
6.根据权利要求5所述的IC，其中，所述第一长度与所述第二长度的差值约为20%。
7.根据权利要求5所述的IC，其中，所述第一纳米线组和所述第二纳米线组包括半导体材料。
8.一种集成电路（IC），包括：
衬底，具有N型金属氧化物半导体（NMOS）区和P型金属氧化物半导体（PMOS）区；
多个栅极结构，位于所述NMOS区和所述PMOS区中，其中，所述栅极结构的长度和所述栅极结构的间距在至少两个栅极结构之间不同；以及
纳米线组，设置在所述多个栅极结构的每一个中，其中，每一个纳米线组中的每一个纳米线的直径均与相邻栅极结构的相对间距和所述相邻栅极结构的相对长度直接对应。
9.根据权利要求8所述的IC，其中，所述PMOS区中的栅极结构中的纳米线与所述NMOS区中的栅极结构中的纳米线具有不同的材料。
10.根据权利要求9所述的IC，其中，所述PMOS区中的栅极结构中的纳米线包括锗（Ge），而所述NMOS区中的栅极结构中的纳米线包括硅（Si）。
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