[发明专利]双色光电器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310675320.2 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104716238A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 任昕;陆书龙;边历峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 色光 器件 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种双色光电器件，其特征在于，包括p型GaAs衬底，形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱，以及形成于GaInP/AlGaInP有源区量子阱上的n型GaAs接触层，所述双色光电器件为单片集成的单个器件。
2.根据权利要求1所述的双色光电器件，其特征在于：所述双色光电器件为LED或光伏电池。
3.一种双色光电器件的制作方法，其特征在于，包括：
s1、在p型GaAs衬底上制作GaInP/AlGaInP有源区量子阱；
s2、在GaInP/AlGaInP有源区量子阱上制作n型GaAs接触层。
4.根据权利要求3所述的双色光电器件的制作方法，其特征在于：所述步骤s1中，所述GaInP/AlGaInP有源区量子阱通过分子束外延方法生长于p型GaAs衬底上，生长温度控制为610~730℃，生长压力控制为4~8MPa。
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