[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

在所述半导体衬底表面形成位于第一区域表面的栅介质材料层、位于部分第二区域表面的浮栅介质层、位于浮栅介质层表面的浮栅以及位于所述浮栅表面的控制栅介质层，所述控制栅介质层的表面高于栅介质材料层的表面；

在所述半导体衬底表面形成栅极材料层，所述栅极材料层覆盖栅介质材料层的表面、浮栅介质层和浮栅的侧壁以及控制栅介质层的表面，控制栅介质层顶部的栅极材料层的表面高于第一区域上的栅极材料层的表面；

在所述栅极材料层表面形成第一填充材料层和位于所述第一填充材料层表面的第一图形化掩膜层，所述第一填充材料层表面齐平并且覆盖所述栅极材料层，所述第一图形化掩膜层覆盖第二区域上的第一填充材料层和部分第一区域上的第一填充材料层；

以所述第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀第一区域上的部分第一填充材料层、栅极材料层、栅介质材料层，在半导体衬底的第一区域表面形成栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；

去除所述第一填充材料层和第一图形化掩膜层后，刻蚀第二区域上的栅极材料层，形成位于控制栅介质层表面的控制栅；

还包括：在所述栅介质层和栅极的侧壁表面以及浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅的侧壁表面形成第一侧墙；以所述第一侧墙和栅极为掩膜，对栅极两侧的半导体衬底的第一区域进行第一轻掺杂离子注入，形成第一轻掺杂区；在所述第一侧墙表面形成第二侧墙，以所述控制栅、第一侧墙和第二侧墙为掩膜，对控制栅两侧的半导体衬底的第二区域进行第二轻掺杂离子注入，形成第二轻掺杂区；在所述第二侧墙表面形成第三侧墙，以所述栅极、第一侧墙、第二侧墙和第三侧墙为掩膜，对栅极两侧的半导体衬底的第一区域进行第一重掺杂离子注入，形成第一源/漏极；在所述第三侧墙表面形成第四侧墙，以所述控制栅、第一侧墙、第二侧墙、第三侧墙和第四侧墙为掩膜，对控制栅两侧的半导体衬底的第二区域进行第二重掺杂离子注入，形成第二源/漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述栅极之后，对所述栅极表面进行氧化处理，形成栅极氧化层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述控制栅之后，对所述控制栅表面进行氧化处理，形成控制栅氧化层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述控制栅氧化层的厚度为

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述控制栅的方法包括：在所述半导体衬底表面形成第二填充材料层和位于所述第二填充材料层表面的第二图形化掩膜层，所述第二填充材料层表面齐平并且覆盖所述第一区域上的栅极和第二区域上的栅极材料层，所述第二图形化掩膜层覆盖第一区域上的第二填充材料层和部分第二区域上的第二填充材料层；以所述第二图形化掩膜层为掩膜，刻蚀第二区域上的部分第二填充材料层和栅极材料层，形成位于浮栅介质层表面的控制栅。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为氮化硅，厚度为

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料为氧化硅，厚度为

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三侧墙的材料为氮化硅，厚度为

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第四侧墙的材料为氧化硅，厚度为

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一轻掺杂离子注入的类型为N型离子，包括P、As或Sb中的一种或几种，注入能量为3Kev～30Kev，浓度为1E3atom/cm³～9E4atom/cm³。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二轻掺杂离子注入的类型为P型离子，包括B、Ga或In中的一种或几种，注入能量为3Kev～30Kev，浓度为1E3atom/cm³～9E4atom/cm³。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极材料层的材料为多晶硅。