[发明专利]制作FinFET的方法

权利要求书

1.一种制作FinFET的方法，包括：

a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片上形成有保护层；

b）在所述鳍片两侧的所述半导体衬底上形成隔离层；

c）在所述鳍片的露出部分的两侧形成侧墙，并形成覆盖所述半导体衬底上的源漏区域的掩膜层；

d）对所述隔离层进行回蚀刻，以在所述侧墙的下表面与所述隔离层的上表面之间形成露出部分所述鳍片的开口；

e）从所述开口对所述鳍片进行刻蚀，以在所述鳍片的下部形成凹槽；以及

f）在所述凹槽内形成SiGe层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片为用于NMOS器件的鳍片。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽处的所述鳍片的宽度为0-3nm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤包括以下子步骤：

在所述隔离层和所述保护层上形成掩膜层；

在所述掩膜层上形成具有图案的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述源漏区域，并暴露所述鳍片的沟道区域以及在所述鳍片的横向方向上与所述沟道区域对应的区域；

对所述暴露的掩膜层进行刻蚀，以形成所述侧墙；

去除所述光刻胶层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用稀释的氢氟酸或SiCoNi工艺回蚀刻所述隔离层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层为氧化物层，所述侧墙包括氮化物层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述侧墙还包括位于所述氮化物层内侧的氧化物层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述氮化物层的厚度为2-5nm，所述氧化物层的厚度为1-3nm。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述回蚀刻去除的所述隔离层的高度为3-5nm。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe层的厚度为2-20nm。