[发明专利]集成电路硅片划片方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路芯片封装领域，特别是涉及一种集成电路硅片划片方法。

背景技术

目前硅片的划片技术有金刚刀划片和激光划片，均是对整个硅片进行切割，然后整张硅片进行固晶邦定封装。随着硅片制造工艺的不断发展，集成电路硅片越做越大，从4-inch→6-inch→8-inch→12-inch→18-inch→…，单位面积上芯片的数量越来越多，单位面积芯片制作的成本越来越低。随着硅片尺寸变大，封装中固晶设备也需要不断进行更新换代，而封装厂固有的旧设备就无法适应大尺寸硅片固晶，往往处于闲置状态，或者只能接受小尺寸硅片固晶加工，大尺寸硅片的芯片推广受到限制。

无论金刚刀划片或者激光划片，量产前均需要进行工艺的优化和定型，目前划片厂均是对整片晶圆（Wafer）进行一个工艺条件划片，多个工艺条件需要多张硅片，工艺的优化和定型需消耗多张硅片。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种集成电路硅片划片方法，能够适应旧封装设备（固晶）生产需求，提高机台利用率。

为解决上述技术问题，本发明的集成电路硅片划片方法，包括如下步骤：

步骤一、将大于8-inch（英寸）的硅片减薄至适合封装的厚度；

步骤二、通过划片工艺方法将所述硅片切割成多个小块硅片；

步骤三、通过划片工艺方法将各小块硅片分别切割分开每颗芯片；

步骤四、将所述各小块硅片转贴到带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架上；

步骤五、将所述小尺寸绷架放置到固晶设备上进行正常固晶。

采用本发明的方法，将大于8-inch的硅片划片成多个小块硅片，多个小块硅片尺寸较小可以装配到小尺寸绷架上，这样能够满足现有旧固晶设备需求，最终提高旧固晶设备利用率。尤其是对于12-inch以上硅片，目前12-inch以上固晶设备还未普及，市场上固晶设备还是以8-inch为主，有利于在现有固晶设备条件下推广大尺寸硅片芯片（大于8-inch）。

采用本发明的方法，将大于8-inch的硅片划片成多个小块硅片后，对每小块硅片可以采用不同划片工艺条件，实现工艺条件的优化和定型，节省硅片资源。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

附图是所述集成电路硅片划片方法实施例示意图。

具体实施方式

参见附图所示，所述集成电路硅片划片方法在下面的实施例中，具体步骤如下：

步骤一、将大尺寸硅片（8-inch）减薄至适合封装的厚度，如100～300μm。

步骤二、采用划片工艺方法将所述硅片切割成多个小块硅片；例如每个小块硅片可以是1/2块，1/4块，1/9块。

步骤三、采用划片工艺方法将各小块硅片分别切割分开每颗芯片；切割每小块硅片的划片工艺条件可以相同，也可以不相同，以实现工艺条件的优化和定型，节省硅片资源。

步骤四、将所述各小块硅片转贴到带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架上；

所述小尺寸绷架，例如4-inch、6-inch或8-inch，符合固晶设备需求，如8-inch固晶机。

步骤五、将带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架（含芯片）放置到现有旧的固晶设备上进行正常固晶。各小尺寸绷架小块硅片如1/2块，1/4块，1/9块。

附图是将12-inch硅片一划4划片的具体实施例，图中，1表示绷架，2表示UV膜或者蓝膜，Ф为绷架类型（适合12-inch或者8-inch直径晶圆），单位英寸（inch）。

以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。