[发明专利]集成电路硅片划片方法在审
| 申请号： | 201310561327.1 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104637875A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 肖海滨;金玮;孙卫红 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 硅片 划片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路硅片划片方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、将大于8-inch的硅片减薄至适合封装的厚度；
步骤二、通过划片工艺方法将所述硅片切割成多个小块硅片；
步骤三、通过划片工艺方法将各小块硅片分别切割分开每颗芯片；
步骤四、将所述各小块硅片转贴到带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架上；
步骤五、将所述小尺寸绷架放置到固晶设备上进行正常固晶。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述小块硅片为1/2块、1/4块或1/9块。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述小尺寸绷架为4-inch、6-inch或8-inch。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：实施步骤三时，切割每小块硅片的划片工艺条件可以相同，也可以不相同，以实现工艺条件的优化和定型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
