[发明专利]穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310556225.0 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545292A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王磊;李恒甫 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 tsv 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种穿硅通孔（TSV）结构，其包括TSV孔，所述TSV孔设置在硅衬底上，其特征在于：所述TSV孔内依次设置有绝缘层、多层扩散阻挡层、种子层和导电金属层。
2.根据权利要求1所述的一种穿硅通孔（TSV）结构，其特征在于：所述绝缘层包括多层绝缘层。
3.根据权利要求1所述的一种穿硅通孔（TSV）结构，其特征在于：所述扩散阻挡层为Ti/TiN/Ti结构。
4.根据权利要求2所述的一种穿硅通孔（TSV）结构，其特征在于：所述绝缘层为氧化硅/氮化硅结构。
5.根据权利要求1所述的一种穿硅通孔（TSV）结构的制造方法，其特征在于：其包括以下步骤：
（1）、在硅衬底上刻蚀TSV孔；
（2）、在TSV孔内沉积绝缘层；
（3）、在绝缘层上沉积多层扩散阻挡层；
（4）、在扩散阻挡层上沉积种子层；
（5）、在种子层上填充导电金属。
6.根据权利要求5所述的一种穿硅通孔（TSV）结构的制造方法，其特征在于：在硅衬底上刻蚀TSV孔底部体硅，露出TSV孔头部。
7.根据权利要求5所述的一种穿硅通孔（TSV）结构的制造方法，其特征在于：步骤（3）中，沉积三层扩散阻挡层，依次沉积第一层扩散阻挡层是Ti或者Ta，第二层扩散阻挡层是TiN或者TaN和第三层扩散阻挡层 是Ti或者Ta。
8.根据权利要求5所述的一种穿硅通孔（TSV）结构的制造方法，其特征在于：硅衬底上刻蚀TSV孔底部体硅：采用三阶段刻蚀TSV孔底部体硅，第一阶段采用HF：HNO3=3:1 -1:2v%体积比的溶液，第二阶段采用HF：HNO3=1:3-1:9 v%体积比的溶液，第三阶段采用HF：HNO3=1:10-1:50v %体积比的溶液。
9.根据权利要求5所述的一种穿硅通孔（TSV）结构的制造方法，其特征在于：硅衬底上刻蚀TSV孔底部体硅：采用两阶段刻蚀TSV孔底部体硅，第一阶段采用HF：HNO3=3:1-1:9v%体积比的溶液，第二阶段采用HF：HNO3=1:10-1:50v%体积比的溶液。
10.根据权利要求5所述的一种穿硅通孔（TSV）结构的制造方法，其特征在于：硅衬底上刻蚀TSV孔底部体硅：直接采用HF：HNO3=3:1-1:50 v%体积比的溶液刻蚀TSV孔底部体硅。
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