[发明专利]一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体结构有效
| 申请号： | 201310498518.8 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103489917A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;杨卓;倪海涛;祝靖;徐申;钟锐;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/485 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 能力 纵向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管结构，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)，在N型掺杂硅衬底(1)上方设有N型掺杂硅外延层(2)，在N型掺杂硅外延层(2)内设有P型掺杂半导体区(3)，在P型掺杂半导体区(3)中设有P型重掺杂半导体接触区(4)和N型重掺杂半导体区(5)，其特征在于，在N型掺杂硅外延层(2)内还设有绝缘物质填充区(10)，在P型掺杂半导体区(3)及N型掺杂硅外延层(2)的表面设有氧化层(6)，在氧化层(6)上方设有多晶硅(7)，在多晶硅(7)及绝缘物质填充区(10)的上方设有介质层(8)，在介质层(8)上设有栅极焊盘金属(13)且栅极焊盘金属(13)位于绝缘物质填充区(10)的正上方，所述多晶硅(7)通过穿过介质层(8)的金属(11)与栅极焊盘金属(13)相连，在所述P型重掺杂半导体接触区(4)和N型重掺杂半导体区(5)上连接有源极金属(9)。
2.根据权利要求1所述的一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于，栅极焊盘金属(13)的宽度不大于绝缘物质填充区(10)的宽度。
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