[发明专利]可拉伸半导体元件、可拉伸电路及其制造方法

权利要求书

1.一种可拉伸半导体元件，包括：

具有支承面的弹性基片；以及

具有弯曲内表面的可拉伸半导体结构，其中所述可拉伸半导体结构为单晶半导体材料，其中在所述弹性基片处于扩展状态时所述弯曲内表面在沿着所述弯曲内表面的几乎全部点上与所述支承面联结，其中所述弯曲内表面具有至少一个凸区域和至少一个凹区域，且其中所述可拉伸半导体结构包括处于应变状态的屈曲结构，所述屈曲结构由施加一种由于使所述弹性基片从扩展状态变为松弛而产生的力引起。

2.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述可拉伸半导体结构呈屈曲构造。

3.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面具有呈周期波特征的轮廓面。

4.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面具有呈非周期波特征的轮廓面。

5.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述可拉伸半导体结构包括呈屈曲构造的带状物，该屈曲带状物具有遍及所述带状物长度的、呈周期波特征的轮廓面。

6.权利要求5的可拉伸半导体元件，其中所述屈曲带具有选自约5微米至约50微米范围的宽度以及选自约50纳米至约500纳米范围的厚度。

7.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弹性基片含有聚(二甲基硅氧烷)。

8.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弹性基片具有等于约1毫米的厚度。

9.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述可拉伸半导体结构为无机半导体材料。

10.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述可拉伸半导体结构含有单晶硅。

11.一种制造可拉伸半导体元件的方法，所述方法包括如下步骤：

提供具有内表面的可单晶半导体结构；

提供处于扩展状态的弹性基片，其中所述弹性基片具有外表面；并且

将沿者所述单晶半导体结构的所述内表面的几乎全部点联结到处于扩展状态的所述弹性基片的所述外表面上；并且

使所述弹性基片至少部分松弛到松弛状态，其中弹性基片的松弛使得所述单晶半导体结构的内表面屈曲，从而形成具有弯曲内表面的所述可拉伸半导体元件。

12.权利要求11的方法，其中所述弹性基片沿着一条第一轴线扩展。

13.权利要求12的方法，其中所述弹性基片沿着垂直于所述第一轴线的第二轴线扩展。

14.权利要求11的方法，其中所述处于扩展状态的弹性基片通过使所述弹性基片屈曲而形成。

15.权利要求11的方法，其中所述处于扩展状态的弹性基片通过将所述弹性基片卷起而形成。

16.权利要求11的方法，还包括将具有弯曲内表面的所述半导体转移至柔性接受基片的步骤。

17.权利要求11的方法，其中将所述单晶半导体结构的所述内表面的至少一部分联结至所述预应变弹性基片的所述外表面是通过下述方式实现的：所述单晶半导体结构与所述弹性基片的所述外表面之间的共价结合、所述单晶半导体结构与所述弹性基片的所述外表面之间的范德华相互作用或者所述单晶半导体结构与所述弹性基片的所述外表面之间的粘合层。

18.权利要求11的方法，其中所述弹性基片的所述外表面具有多个羟基，以使所述单晶半导体结构与所述变弹性基片的所述外表面结合。

19.一种可拉伸电路，包括：

具有支承面的弹性基片；以及

具有弯曲内表面的电路，其中所述电路包括至少一个可拉伸半导体结构，其中所述至少一个可拉伸半导体结构为单晶半导体材料，其中在所述弹性基片处于扩展状态时沿着所述电路的所述弯曲内表面的几乎全部点与所述弹性基片的所述支承面联结，其中所述电路为屈曲构造，且其中具有所述弯曲内表面的所述电路处于由施加由于使所述弹性基片从扩展状态变为松弛而产生的力引起的应变状态。

20.权利要求19的可拉伸电路，其中所述电路包括多个集成器件组件。

21.权利要求19的可拉伸电路，其中所述集成器件组件选自半导体元件、介电元件、电极、导体元件和掺杂半导体元件。