[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示装置制备技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着液晶显示器的不断增加，驱动电路的频率不断增加，现有非晶硅迁移率低，很难满足生产、设计要求，而低温多晶硅（LTPS）工艺难度高，薄膜均匀性差。因此氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT）应运而生，它主要用来提高载流迁移率，同时制作均一、工艺简单，可以用于透明显示。

氧化物TFT阵列基板被广泛应用于显示器中（例如液晶显示器），其具体包括：TFT基底，设于TFT基底上方的薄膜晶体管栅极，覆盖栅极的栅极绝缘层，设于栅极绝缘层的有源层、覆盖有源层的阻挡层，设于阻挡层上方通过接触过孔与有源层连接的源、漏电极，钝化层覆盖源、漏电极，像素电极通过贯穿钝化层的接触过孔与漏电极连接。

其中，栅极绝缘层通常为二氧化硅和氮化硅的复合结构，但是氮化硅、二氧化硅的介电常数均在6.5～7.3之间，介电常数值较大，从而会导致TFT阵列基板工作时的功耗较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述不足，提供一种功耗低的阵列基板及其制备方法、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：栅极、有源层，以及将栅极与有源层隔开的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括有机树脂材料层和保护层两层结构，所述有机树脂材料层与栅极接触；所述保护层与有源层接触。

本发明的阵列基板中的栅极绝缘层的结构中包括有机树脂材料层，有机树脂材料层的介电常数低，所以该阵列基板的功耗低。

优选的是，所述有机树脂材料层覆盖栅极，所述保护层设于有机树脂材料层上方。

进一步优选的是，上述阵列基板还包括：像素电极、源电极和漏电极，

所述像素电极、源电极和漏电极是通过一次构图工艺形成的。

优选的是，所述保护层覆盖有源层，所述有机树脂材料层设于保护层上方。

优选的是，所述保护层的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中任意一种，其厚度在500～800之间。

优选的是，所述有机树脂材料层的材料为甲基丙烯酸酚醛树脂或环氧丙烯酸酯树脂，其厚度在1.5～2.0um之间。

优选的是，所述有源层材料为氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中任意一种，其厚度在1500～2200之间。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述阵列基板。

由于本发明的显示面板包括上述阵列基板，故其功耗低。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，其具体包括如下步骤：

通过构图工艺在基底上形成包括栅极的图形；

在完成上述步骤的基底上形成有机树脂材料层，并在有机树脂材料层上形成保护层；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括有源层的图形。

优选的是，所述形成有机树脂材料层具体包括：

通过旋转涂胶的方法在形成栅极的基底上涂覆有机树脂材料层；

对有机树脂材料层进行退火、固化，形成平坦表面。

优选的是，所述通过构图工艺形成包括有源层的图形后还包括：

在形成有源层的基底上形成阻挡层，并形成贯穿阻挡层的接触过孔，用于有源层与源、漏电极连接；

在完成上述步骤的基底上，依次沉积像素电极层、源漏金属层，以及光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光、显影，得到有源层导电区域上方无光刻胶覆盖，与源、漏电极对应区域的光刻胶、与像素电极对应区域的光刻胶，且与源、漏电极对应区域的光刻胶的厚度大于与像素电极对应区域的光刻胶的厚度；

通过刻蚀去除像素电极对应区域的光刻胶的厚度的光刻胶以及裸露的源漏金属层；

通过刻蚀去除剩余厚度的光刻胶以及裸露的源漏金属层和裸露的像素电极层。

进一步优选的是，所述对光刻胶层进行曝光采用的是灰阶掩膜板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是另一种阵列基板的制备方法，其具体包括如下步骤：

具体包括如下步骤：

通过构图工艺在基底上形成包括有源层的图形；

在完成上述步骤的基底上形成保护层，并在保护层上形成有机树脂材料层；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括有机树脂材料层的图形。

附图说明

图1为本发明的实施例1的阵列基板的结构图；

图2为本发明的实施例3的阵列基板的制备方法的制备过程图。