[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201310409085.4 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN103456745A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 姜晓辉 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:栅极、有源层,以及将栅极与有源层隔开的栅极绝缘层,其特征在于,所述栅极绝缘层包括有机树脂材料层和保护层两层结构,
所述有机树脂材料层与栅极接触;
所述保护层与有源层接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有机树脂材料层覆盖栅极,所述保护层设于有机树脂材料层上方。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:像素电极、源电极和漏电极,
所述像素电极、源电极和漏电极是通过一次构图工艺形成的。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层覆盖有源层,所述有机树脂材料层设于保护层上方。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝中任意一种,其厚度在500~800之间。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有机树脂材料层的材料为甲基丙烯酸酚醛树脂或环氧丙烯酸酯树脂,其厚度在1.5~2.0um之间。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层材料为氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中任意一种,其厚度在1500~2200之间。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~7中任意一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
通过构图工艺在基底上形成包括栅极的图形;
在完成上述步骤的基底上形成有机树脂材料层,并在有机树脂材料层上形成保护层;
在完成上述步骤的基底上,通过构图工艺形成包括有源层的图形。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述形成有机树脂材料层具体包括:
通过旋转涂胶的方法在形成栅极的基底上涂覆有机树脂材料层;
对有机树脂材料层进行退火、固化,形成平坦表面。
11.根据权利要求9或10所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述通过构图工艺形成包括有源层的图形后还包括:
在形成有源层的基底上形成阻挡层,并形成贯穿阻挡层的接触过孔,用于有源层与源、漏电极连接;
在完成上述步骤的基底上,依次沉积像素电极层、源漏金属层,以及光刻胶层,并对光刻胶层进行曝光、显影,得到有源层导电区域上方无光刻胶覆盖,与源、漏电极对应区域的光刻胶、与像素电极对应区域的光刻胶,且与源、漏电极对应区域的光刻胶的厚度大于与像素电极对应区域的光刻胶的厚度;
通过刻蚀去除像素电极对应区域的光刻胶的厚度的光刻胶以及裸露的源漏金属层;
通过刻蚀去除剩余厚度的光刻胶以及裸露的源漏金属层和裸露的像素电极层。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述对光刻胶层进行曝光采用的是灰阶掩膜板。
13.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
通过构图工艺在基底上形成包括有源层的图形;
在完成上述步骤的基底上形成保护层,并在保护层上形成有机树脂材料层;
在完成上述步骤的基底上,通过构图工艺形成包括有栅极的图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的