[发明专利]在STI沟槽中形成半导体材料的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在包括作为工艺气体的氢气（H₂）和氯化氢（HCl）的环境中对硅区域进行退火；以及

在所述退火步骤之后，从所述硅区域的表面处生长半导体区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在温度介于约700℃和约725℃之间的条件下实施所述退火，并且在所述退火期间，将所述硅区域的单台阶表面转变为双台阶表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述退火的时间介于约1分钟和约10分钟之间。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在硅衬底中形成浅沟槽隔离（STI）区；以及

使位于所述STI区的两部分之间的所述硅衬底的一部分凹进以形成凹槽，其中，将所述硅区域的表面暴露于所述凹槽，并且从所述凹槽处生长所述半导体区域。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

使所述STI区凹进，其中，所述半导体区域位于所述STI区的保留部分的顶面上方的部分形成半导体鳍；

在所述半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极介电质；以及

在所述栅极介电质上方形成栅电极，其中，所述栅极介电质和所述栅电极形成鳍式场效应晶体管（FinFET）的一部分。

6.一种方法，包括：

在低于约870℃的温度下对包括硅区域的晶圆进行退火，其中，在所述退火步骤之前，所述硅区域包括具有单台阶的表面，并且通过所述退火步骤使所述单台阶转变为双台阶；以及

在所述退火步骤之后，从所述硅区域的表面处生长化合物半导体区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在包括作为工艺气体的氢气（H₂）和氯化氢（HCl）的环境中实施所述退火。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述退火步骤之前，在所述晶圆的硅衬底中形成浅沟槽隔离（STI）区；以及

使所述硅衬底位于所述STI区的两部分之间的部分凹进以形成凹槽，其中，所述硅区域的表面暴露于所述凹槽，并且从所述凹槽处生长所述化合物半导体区域。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括：

使所述STI区域凹进，其中，所述化合物半导体区域位于所述STI区域的保留部分的顶面上方的部分形成半导体鳍；

在所述半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极介电质；以及

在所述栅极介电质上方形成栅电极，所述栅极介电质和栅电极形成鳍式场效应晶体管（FinFET）的一部分。

10.一种方法，包括：

在硅衬底中形成浅沟槽隔离（STI）区；

使所述硅衬底位于所述STI区的两部分之间的部分凹进以形成凹槽；

在所述凹进步骤之后，在包括作为工艺气体的氢气（H₂）和氯化氢（HCl）的环境中对所述硅衬底进行退火，其中，在温度低于约870℃的条件下实施所述退火；

在所述退火步骤之后，从所述硅衬底的表面处生长化合物半导体区域，其中，所述硅衬底的表面位于所述凹槽中；

使所述STI区域凹进，其中，所述化合物半导体区域位于所述STI区的保留部分的顶面上方的部分形成半导体鳍；

在所述半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极介电质；以及

在所述栅极介电质上方形成栅电极，其中，所述栅极介电质和所述栅电极形成鳍式场效应晶体管（FinFET）的一部分。