[发明专利]晶体硅太阳能电池背电极图形和丝网印刷网版及制备方法有效
申请号: | 201310363683.2 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN103413843A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 侯林均;徐涛;杨东;马列;刘宗刚;姚骞;包崇彬 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;B41F15/36;H01L31/18 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 电极 图形 丝网 印刷 制备 方法 | ||
1.晶体硅太阳能电池背电极图形,其特征在于:包括涂覆在晶体硅太阳能电池背面(1)上的电极图形(2),电极图形(2)区域内存在遮蔽镂空区域(3),电极图形(2)内涂覆有电极浆料层。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极图形,其特征在于:电极浆料层为银浆料层或铝浆料层或银铝浆料层。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极图形,其特征在于:遮蔽镂空区域(3)的形状为圆形或椭圆形或三角形或矩形。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极图形,其特征在于:电极图形(2)主要由矩形图形加删线图形构成,删线图形连接在矩形图形四周。
5.制备电池背电极图形的丝网印刷网版,其特征在于:包括网版本体,网版本体覆盖有不透膜,不透膜开有与电极图形(2)一致的图案镂空区,图案镂空区内覆盖有与遮蔽镂空区域(3)一致的遮蔽膜。
6.电池背电极图形的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤1,制备权利要求5所述的丝网印刷网版;
步骤2,将丝网印刷网版安装在印刷机上,使用丝网印刷的方式将电极浆料印刷在晶体硅太阳能电池背面(1)的电极图形(2)区域,且遮蔽镂空区域(3)无电极浆料透过;
步骤3,由于电极浆料具有流变性,因此在印刷的同时电极图形(2)区域内的电极浆料完全填充到遮蔽镂空区域(3),形成完整的电极图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的