[发明专利]半导体装置和电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

用半导体材料制成的基板；以及

用多种材料制成并在所述基板上形成的多个层，

其中，被形成为穿透形成在所述基板上的所述多个层中的至少形成为绝缘膜的层并且使焊盘电极的表面暴露的开口部被填充以铝或铝合金。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，被电连接到所述焊盘电极的导线通过引线接合而连接到所述开口部中填充的铝或铝合金。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述开口部中填充的铝或铝合金包括从所述半导体装置的表面突出的凸部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述凸部被压接到与所述焊盘电极电连接的另一导体，并且通过倒装芯片接合来连接到所述另一导体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，铝或铝合金通过CVD技术选择性地沉积在所述开口部中以用铝或铝合金填充所述开口部。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，使用DMAH气体作为稀释气体、通过使用在所述焊盘电极中包含的铝或铝合金作为晶种进行热生长来沉积铝或铝合金。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，使用抗蚀剂掩模将气相生长的铝或铝合金沉积在所述开口部中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述半导体装置被配置为底部发光MOS型固态成像元件。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，半导体装置被配置为具有层叠结构的底部发光MOS型固态成像元件。

10.一种电子设备，包括：

用半导体材料制成的基板；以及

用多种材料制成并形成在所述基板上的多个层，

其中，被形成为穿透形成在所述基板上的所述多个层中的至少形成为绝缘膜的层并且使焊盘电极的表面暴露的开口部被填充以铝或铝合金。

11.根据权利要求10所述的电子设备，

其中，被电连接到所述焊盘电极的导线通过引线接合而连接到所述开口部中填充的铝或铝合金。