[发明专利]透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光显示技术领域，具体涉及一种新型微型柔性发光器件中的AlGaInP-LED柔性微器件及制作方法。

背景技术

近年来，随着电子产业的发展，微型发光器件发展迅速。平面型LED微显示阵列与传统发光器件相比具有很多不可比拟的优点，平面型LED显示器件的传统制作方法是将多个单管LED芯片排列在基座上，然后引线、封装。受到基座的影响，此方法制作的显示器件的像素尺寸难以做小，因此分辨率受到一定限制。同时由于不能弯曲，在很大程度上限制了其应用范围。随着科学技术的发展，对可以实现高分辨、明亮持久且轻薄并能应用在弯曲表面的微型柔性LED阵列器件的需求越来越迫切。目前，微型柔性LED阵列器件在我国尚无现有技术。

发明内容

本发明为解决现有平面型LED显示器件的制作方法由于受到基座的影响，难以实现小尺寸的像素，分辨率也受到一定限制，同时无法达到弯曲的目的问题，提供透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件及制作方法。

透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件，包括透光层、发光层、反射层、基片、发光单元上上电极引线、发光单元外上电极引线、下电极、下电极引线、柔性区域、微透镜和ITO透明上电极，所述反射层的上面依次为发光层、透光层、ITO透明上电极、发光单元上上电极引线和微透镜，反射层的下面为基片；所述透光层、发光层、反射层和基片组成LED发光单元，多个LED发光单元均匀排布组成发光单元阵列；所述多个LED发光单元之间为柔性区域，所述柔性区域使各个LED发光单元依次连接并使发光单元阵列实现弯曲；所述ITO透明上电极的上表面排布发光单元上上电极引线，柔性区域的上表面排布发光单元外上电极引线，处于同一行的LED发光单元上上电极引线与发光单元外上电极引线依次相连接，所述基片的背面排布有下电极，在柔性区域的背面区域排布下电极引线，处于同一列的下电极与下电极引线依次相连接；所述下电极和下电极引线组成的下引线列与发光单元上上电极引线和发光单元外上电极引线组成的上引线行在排列方向上异面垂直。

透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件的制作方法，该方法由以下步骤实现：

步骤一、选择发光芯片，所述发光芯片由透光层、发光层、反射层和基片组成，对所述的发光芯片进行清洗及正面保护；具体为：首先对发光芯片进行清洗，然后在发光芯片透光层的上表面制备一层上保护膜；

步骤二、上隔离沟槽的制备，

通过光刻和腐蚀上保护膜，露出柔性区域窗口图形，即上隔离沟槽图形；在上保护膜和光刻胶的掩蔽下对发光芯片的上表面进行ICP刻蚀，去除柔性区域的发光芯片材料，形成一定深度的上隔离沟槽；

步骤三、上隔离沟槽的填充；

步骤三一、在步骤二获得的上隔离沟槽的发光芯片上表面涂覆柔性材料，并进行预固化；

步骤三二、通过光刻及腐蚀工艺去除发光芯片透光层上表面的柔性材料；通过去胶及再次腐蚀，使形成的填充材料上表面形成凹陷形状，完成柔性材料的完全固化；去除上保护膜；

步骤四、ITO透明上电极的制备，在发光芯片的透光层的上表面制备ITO透明导电极；然后制备LED发光单元上上电极引线和LED发光单元外上电极引线；

步骤五、制备微透镜，在步骤四制备发光单元上上电极引线和发光单元外上电极引线后的发光芯片上制备高粘附力的聚合物层，通过热熔法得到聚合物微透镜；

步骤六、发光芯片的正面固定，将步骤五所述的发光芯片用粘接剂固定在上保护片上；

步骤七、发光芯片的背面减薄；对发光芯片的基片的下表面进行减薄，然后进行抛光处理；

步骤八、在步骤七的基础上对发光芯片进行像素分割，获得多个LED发光单元；

步骤八一、对抛光处理后的发光芯片的基片的下表面制备下保护膜；

步骤八二、通过双面对准光刻和腐蚀下保护膜，露出柔性区域窗口；

步骤八三、在下保护膜和光刻胶的掩蔽下对发光芯片下表面进行刻蚀，完全去除柔性区域的发光芯片材料，实现对LED发光单元的分割；

步骤八四、去除下保护膜；

步骤九、制备薄膜下电极和下电极引线；去除上保护片；制作电路引线，完成LED器件的制作。