[发明专利]透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件及制作方法

权利要求书

1.透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件，包括透光层（1）、发光层（2）、反射层（3）、基片（4）、发光单元上上电极引线（5）、发光单元外上电极引线（9）、下电极（6）、下电极引线（10）、柔性区域（7）、微透镜（8）和ITO透明上电极（11）；其特征是，所述反射层（3）的上面依次为发光层（2）、透光层（1）、ITO透明上电极（11）、发光单元上上电极引线（5）和微透镜（8），反射层（3）的下面为基片（4）；所述透光层（1）、发光层（2）、反射层（3）和基片（4）组成LED发光单元，多个LED发光单元均匀排布组成发光单元阵列；所述多个LED发光单元之间为柔性区域（7），所述柔性区域（7）使各个LED发光单元依次连接并使发光单元阵列实现弯曲；所述ITO透明上电极（11）的上表面排布发光单元上上电极引线（5），柔性区域（7）的上表面排布发光单元外上电极引线（9），处于同一行的LED发光单元上上电极引线（5）与发光单元外上电极引线（9）依次相连接，所述基片（4）的下表面排布有下电极（6），在柔性区域（7）的下表面区域排布下电极引线（10），处于同一列的下电极（6）与下电极引线（10）依次相连接，所述下电极（6）和下电极引线（10）组成的下引线列与发光单元上上电极引线（5）和发光单元外上电极引线（9）组成的上引线行在排列方向上异面垂直。

2.根据权利要求1所述的透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件，其特征在于，所述发光单元上上电极引线（5）的形状为回字形、圆环形、单条形或双条形；所述下电极（6）的形状为矩形、圆形、单条形或双条形。

3.制作权利要求1所述的透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：

步骤一、选择发光芯片，所述发光芯片由透光层（1）、发光层（2）、反射层（3）和基片（4）组成，对所述的发光芯片进行清洗及正面保护；具体为：首先对发光芯片进行清洗，然后在发光芯片透光层（1）的上表面制备一层上保护膜；

步骤二、上隔离沟槽的制备；

通过光刻和腐蚀上保护膜，露出柔性区域（7）窗口图形，即上隔离沟槽图形；在上保护膜和光刻胶的掩蔽下对发光芯片的上表面进行ICP刻蚀，去除柔性区域（7）的发光芯片材料，形成一定深度的上隔离沟槽；

步骤三、上隔离沟槽的填充；

步骤三一、在步骤二获得的上隔离沟槽的发光芯片上表面涂覆柔性材料，并进行预固化；

步骤三二、通过光刻及腐蚀工艺去除发光芯片透光层（1）上表面的柔性材料；通过去胶及再次腐蚀，使形成的填充材料上表面形成凹陷形状，完成柔性材料的完全固化；去除上保护膜；

步骤四、ITO透明上电极的制备，在发光芯片的透光层（1）的上表面制备ITO透明导电极（11）；然后制备LED发光单元上上电极引线（5）和LED发光单元外上电极引线（9）；

步骤五、制备微透镜，在步骤四制备发光单元上上电极引线（5）和发光单元外上电极引线（9）后的发光芯片上制备高粘附力的聚合物层，通过热熔法得到聚合物微透镜；

步骤六、发光芯片的正面固定，将步骤五所述的发光芯片用粘接剂固定在上保护片上；

步骤七、发光芯片的背面减薄；对发光芯片的基片（4）的下表面进行减薄，然后进行抛光处理；

步骤八、在步骤七的基础上对发光芯片进行像素分割，获得多个LED发光单元；

步骤八一、对抛光处理后的发光芯片的基片的下表面制备下保护膜；

步骤八二、通过双面对准光刻和腐蚀下保护膜，露出柔性区域（7）窗口；

步骤八三、在下保护膜和光刻胶的掩蔽下对发光芯片下表面进行刻蚀，完全去除柔性区域（7）的发光芯片材料，实现对LED发光单元的分割；

步骤八四、去除下保护膜；

步骤九、制备薄膜下电极（6）和下电极引线（10）；去除上保护片；制作电路引线，完成LED器件的制作。

4.根据权利要求3所述的透明电极高密度柔性LED微显示阵列器件的制作方法，其特征在于，还包括步骤十，制备背面柔性材料层，在完成下电极（6）及下电极引线（10）的制备后，在LED发光单元基片（4）的下表面制备背面柔性材料层。