[发明专利]电子部件密封用树脂片、树脂密封型半导体装置、及树脂密封型半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子部件密封用树脂片、树脂密封型半导体装置、及树脂密封型半导体装置的制造方法。 

背景技术

一直以来，在半导体装置的制造中，在引线框、电路基板等的各种基板上搭载半导体芯片后，以覆盖半导体芯片等电子部件的方式进行树脂密封。在按照以上方式制造的树脂密封型半导体装置中存在以下问题：因密封树脂与半导体芯片的收缩量的差、密封树脂与各种基板的收缩量的差而产生应力，因该应力而使封装体发生翘曲。 

例如，专利文献1中记载了一种膜状胶粘剂，其具备含有特定量的无机质填充剂的胶粘剂层。专利文献2中记载了一种含有特定量的二氧化硅的膜状胶粘剂用组合物。专利文献3中记载了一种片状粘接材料，其通过在剥离片上分别供给预混后的树脂成分和预混后的填充剂成分，然后在这些成分上覆盖剥离片而得。但是，关于片状的粘接材料，并没有对通过低线膨胀率化来抑制翘曲量的方案进行研究。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开平10-226769号公报 

专利文献2：日本特开2001-49220号公报 

专利文献3：日本特开2004-346186号公報 

发明内容

发明所要解决的问题 

本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供可抑制翘曲量的电子 部件密封用树脂片、可靠性高的树脂密封型半导体装置、及其制造方法。 

用于解决问题的方法 

本申请发明人为了解决上述现有问题而进行了研究，结果着眼于含有42重量％的镍的铁镍合金板(42合金)的线膨胀率接近于硅片、硅芯片的线膨胀率。而且还发现：通过使在该铁镍合金板上使树脂片固化后的翘曲量为特定值以下，从而得到可靠性高的树脂密封型半导体装置。进而完成了本发明。 

即，本发明涉及一种电子部件密封用树脂片，其在含有42重量％的镍的一边为90mm的正方形且厚度为0.15mm的铁镍合金板上加热压制成厚度达到0.2mm并在150℃使其固化后的翘曲量为5mm以下。 

本发明的电子部件密封用树脂片在特定的铁镍合金板上固化后的翘曲量为5mm以下，翘曲量小。因此，即使在将硅片、硅芯片密封了的情况下，翘曲量也小，得到可靠性高的树脂密封型半导体装置。 

二氧化硅的含量优选相对于全部电子部件密封用树脂片为85～93重量％。由此，可以降低线膨胀率，可以良好地抑制固化后的翘曲量。 

上述电子部件密封用树脂片优选通过混炼挤出来制造。 

通过涂布制造的二氧化硅高充填树脂片会在树脂片表面发生填料偏析，润湿性差，发生层叠不良。根据上述构成，还会得到可使二氧化硅良好地分散且可良好地进行层叠的电子部件密封用树脂片。 

此外，二氧化硅高充填树脂容易变为高粘度，难以控制粘性，因此难以通过涂布成形为片状。根据上述构成，由于通过混炼挤出来制造，因此可以容易地成形为片状，可以形成没有孔隙(气泡)等的均匀的片。此外，在通过涂布进行制造的情况下，存在可使用的二氧化硅的粒径受到限制的倾向，但根据上述构成，可以使用粒径不受限制的二氧化硅。 

优选使上述电子部件密封用树脂片在一边为90mm的正方形且厚度为0.3mm的玻璃布基材环氧树脂上加热压制成厚度达到0.2mm并在150℃使其固化后的翘曲量为4mm以下。 

根据上述构成，在特定的玻璃布基材环氧树脂上固化后的翘曲量为4mm以下，翘曲量小。因此，得到可靠性高的树脂密封型半导体装置。 

优选使固化后的线膨胀率在低于固化后的玻璃化转变温度时为 10ppm/K以下。由此，可以良好地抑制翘曲量。 

固化后的线膨胀率优选在固化后的玻璃化转变温度以上为50ppm/K以下。由此可以良好地抑制翘曲量。 

优选使固化后的玻璃化转变温度为100℃以上。由此，可以在宽泛的温度区域(特别是到100℃为止)抑制固化后的翘曲量。 

优选使在150℃固化一小时后的拉伸弹性模量在常温下为2GPa以上。由此得到耐损伤性优异的可靠性高的树脂密封型半导体装置。 

此外，优选使该电子部件密封用树脂片的厚度为0.1～0.7mm。 

此外，本发明还涉及一种树脂密封型半导体装置，其通过使用上述电子部件密封用树脂片而得到。 

此外，本发明还涉及一种树脂密封型半导体装置的制造方法，其包括使用上述电子部件密封用树脂片进行密封的工序。 

附图说明

图1为表示翘曲量的测定中使用的树脂片的图。