[发明专利]一种电子电路的制造方法在审

专利信息
申请号: 201310333483.2 申请日: 2013-08-02
公开(公告)号: CN103442518A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 蒋海英;李立忠;桂祥;曹雄;陈德智 申请(专利权)人: 上海安费诺永亿通讯电子有限公司;上海芮远化学科技有限公司
主分类号: H05K3/18 分类号: H05K3/18;C23C18/18;C23C18/06;C25D5/34;C25D5/54;C25D5/02
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子电路 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于电子电路技术领域,具体涉及一种电子电路的制造方法。

背景技术

目前在塑料件上直接制作电路的方法包括:

(1)激光直接成型技术(Laser-Direct-Structuring,LDS),即使用含有某种金属触媒的塑料电路载体,然后通过激光释放金属,使需要的区域的金属暴露出来,基于这些暴露的金属触媒再进行化镀或者电镀的方法获得电路。其缺点是:该方法由于需要使用金属触媒从而增加了成本,并且由于此产品含有金属,在某些场合比如天线产品,金属触媒可能对射频性能产生不利影响。

(2)在普通塑料材料中加疏水膜的激光选择性化镀或者电镀,即在塑料电路载体的表面加一层疏水膜,再用激光选择性照射需要的部分,使照射部分的疏水膜失效,再进行化镀或者电镀。由于没有激光照射的部分的疏水膜有疏水效果,金属无法沉积,因此形成了所需的电路。其缺点:是需要塑料电路载体的表面加一层疏水膜,增加了成本和增加了工艺的复杂性。

(3)在普通塑料产品上通过化镀再去镀的方法获得线路的方法,即首先在用普通塑料电路载体上用激光选择性照射需要的区域(简称选择性区域),再对电路载体进行化学沉积金属或者真空镀金属,然后再进行激光照射将选择性区域和其他区域分割开,再进行电镀将选择性区域的金属层加厚,然后再去镀,由于选择性区域的金属比非选择性区域的金属厚,因此在保留选择性区域金属的前提下将非选择性区域的金属去掉,最后再化镀或者电镀镀铜、镀镍或者镀金。其缺点是:工艺比较复杂,因而成本增加不良率增加。

发明内容

为了克服现有技术中存在的成本高、且金属成分影响产品性能的缺陷,本发明旨在提供一种不使用金属触媒或者金属媒介的电子电路的制造方法,具体的技术方案如下:

一种电子电路的制造方法,包括如下步骤:

(1)准备一电路载体,其中,所述电路载体的材料为非金属材料;

(2)对所述电路载体的表面根据所需的电子电路的形状进行选择性电磁照射,从而在所述电路载体的表面形成照射区域;

(3)采用酸性或碱性试剂对电路载体的表面进行化学表面调整处理,使照射区域表面的化学性质发生改变,由非极性转变为有极性,具有吸附胶团的功能;对电路载体的表面进行化学活化处理,在照射区域内形成一金属晶核;

(4)再进行电镀或者化镀工艺,以所述金属晶核为基础,沉积若干金属层,从而在所述照射区域形成所述电子电路。

作为优化方案,所述步骤(3)进一步包括如下步骤:

(31)采用稀硫酸对电路载体进行表面调整处理; 

(32)采用钯活化试剂对所述电路载体进行钯活化,使金属钯附着在所述照射区域内,形成一钯金属层,所述钯金属层即为所述金属晶核。

作为优化方案,所述稀硫酸的浓度范围为20%~50%。

作为优化方案,酸性或碱性试剂为氢氟酸、铬酸、磷酸、磷酸三钠、氢氧化铵或氢氧化钾中的一种。

作为优化方案,氢氟酸、铬酸、磷酸、磷酸三钠、氢氧化铵或氢氧化钾的浓度范围为10%~50%。

作为优化方案,所述若干金属层的材料为铜、镍、金中的一种或两种或全部。

作为优化方案,所述步骤(4)进一步包括如下步骤:

首先,对所述电路载体进行电镀或化学镀,在所述金属晶核上沉积一镀铜层;

然后,通过电镀或化学镀在所述镀铜层上沉积一镀镍层;

最后,通过电镀或化学镀在所述镍金属层上沉积一镀金层,形成电子电路。

作为优化方案,所述电路载体的材料为高分子化合物。

作为优化方案,所述高分子化合物为塑料、纤维或橡胶。

作为优化方案,所述电路载体由高分子化合物通过注塑、挤出或者吹塑成型制得。

作为优化方案,所述电磁照射采用的是激光照射的方式,所述激光的波长为300-1600纳米。

与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

(1)本发明采用的电路载体中不含金属触媒或疏水剂,成本低廉;且本发明不含金属成分,不会对天线产品的性能产生影响;

(2)由于本发明采用稀硫酸对电路载体进行表面调整处理,使后续的钯活化剂只能沉积在电路载体经电磁照射的区域;大大提高产品的生产良率和钯活化试剂的利用率,从而降低产品的生产成本。

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