[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层以及相互绝缘的第一电极和第二电极；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第一电极设置在所述有源层靠近基板的一侧，所述第二电极设置在所述有源层远离基板的一侧，且所述第一电极和所述第二电极与所述有源层接触；其中，所述栅极与所述第一电极同层设置，且所述栅极与所述第一电极绝缘。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层设置于所述源极与所述有源层之间，所述源极通过设置于所述栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层接触。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：栅极辅助电极，所述栅极辅助电极设置在栅绝缘层的上面，且所述栅极辅助电极通过设置于所述栅绝缘层上的第二过孔与栅极电连接。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极、有源层和源极依次重叠设置且直接接触。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述有源层包括位于中间的非晶硅半导体层、以及位于所述非晶硅半导体层两侧的欧姆接触层。

7.根据权利要求6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层采用介电常数为3-15的材料。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极，所述第一电极为漏极，栅绝缘层设置在漏极和像素电极之间，所述像素电极通过设置在栅绝缘层上的第三过孔与漏极电连接。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极，所述第一电极为漏极，所述像素电极设置在所述漏极的下面，与所述漏极直接接触。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8-10任一项所述的阵列基板。

12.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层以及相互绝缘的第一电极和第二电极的步骤；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第一电极设置在所述有源层靠近基板的一侧，所述第二电极设置在所述有源层远离基板的一侧，且所述第一电极和所述第二电极与所述有源层接触；其中，所述栅极与所述第一电极同层设置，且所述栅极与所述第一电极绝缘。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述栅极与所述第一电极通过一次构图工艺形成。

14.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极为漏极，第二电极为源极。

15.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，还包括：形成栅极辅助电极的步骤。

16.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述栅极辅助电极与所述第二电极通过一次构图工艺形成。