[发明专利]用于制造复合体和半导体模块的方法有效
申请号: | 201310293402.0 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN103715103B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 洪涛 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/603 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 复合体 半导体 模块 方法 | ||
1.用于制造至少一个复合体的方法,其中分别将至少两个接合伙伴(11、12)牢固地彼此连接,该方法具有如下步骤:
提供具有容纳区域(110)的保持框架(100)以及工作缸(120);
提供数量N≥1的压强室(7),其中每个压强室具有第一壳体元件(71)和第二壳体元件(72);以及
其中针对每个压强室(7)执行以下步骤:
-提供第一接合伙伴(11)、第二接合伙伴(12)、连接装置(10)和密封装置(4);
-用第一接合伙伴(11)、第二接合伙伴(12)和连接装置(10)将压强室(7)装备为,使得连接装置(10)位于第一接合伙伴(11)和第二接合伙伴(12)之间,其中至少连接装置(10)布置在压强室(7)的第一室区域(61)中;
-将所装备的压强室(7)放入到容纳区域(110)中;
-相应的第一壳体元件(71)按压相应的第二壳体元件(72),其方式是放入到容纳区域(110)中的压强室(7)借助于工作缸(120)被夹持在工作缸(120)和保持框架(100)之间;
-在压强室(7)的第二室区域(62)中产生第二气压(p62),该第二气压高于第一室区域(61)中的第一气压(p61),使得第一接合伙伴(11)、第二接合伙伴(12)和位于它们之间的连接装置(10)彼此按压。
2.根据权利要求1的方法,其中针对每个压强室(7)执行以下步骤:
-将相应的第一接合伙伴(11)、相应的第二接合伙伴(12)和相应的接合装置(10)加热到预先给定的温度,该预先给定的温度大于室温,同时在相应的第二室区域(62)中存在第二气压(p62);以及
-随后冷却相应的第一接合伙伴(11)、相应的第二接合伙伴(12)和相应的连接装置(10)。
3.根据权利要求1或2的方法,其中
保持框架(100)具有第一支脚(101)和与该第一支脚刚性连接的第二支脚(102);以及
容纳区域(110)位于第一支脚(101)和第二支脚(102)之间。
4.根据权利要求1至2之一的方法,其中密封装置(4)在压强室(7)中的一个、多个或者每一个压强室中构造为膜,所述膜构成气密的、封闭的囊,相应的第一接合伙伴(11)、相应的第二接合伙伴(12)和相应的连接装置(10)布置在该囊中。
5.根据权利要求1至2之一的方法,其中
在所述压强室(7)中的一个、多个或者每一个压强室中密封装置(4)构造为膜,所述膜通过相应的压强室(7)的第一壳体元件(71)和第二壳体元件(72)之间的按压被夹持并且在此过程中将第一室区域(61)与第二室区域(62)分隔开;
放入到相应的压强室(7)中的第一接合伙伴(11)、第二接合伙伴(12)和连接装置(10)在所述膜被夹持在第一壳体元件(71)和第二壳体元件(72)之间之后位于第一室区域(61)中。
6.根据权利要求1至2之一的方法,其中所述第一接合伙伴(11)和第二接合伙伴(12)中的至少一个构造为金属化的陶瓷载体(12a),该陶瓷载体具有通过该陶瓷载体(12a)的面积最大的侧给出的基面。
7.根据权利要求1至2之一的方法,其中在所述压强室(7)中的一个、多个或者每一个压强室中
相应的第一接合伙伴(11)是金属化的陶瓷载体并且相应的第二接合伙伴(12)是半导体芯片(13);或者
相应的第一接合伙伴(11)是金属板并且相应的第二接合伙伴(12)是金属化的陶瓷载体(12a)。
8.根据权利要求1至2之一的方法,其中工作缸(120)具有最大可能的冲程(Hmax),该冲程小于或等于5mm、小于或等于1mm或者小于或等于0.2mm。
9.根据权利要求1至2之一的方法,其中工作缸(120)构造为气动缸或者液压缸。
10.根据权利要求9的方法,其中
所述工作缸(120)构造为具有工作体积(125)的气动缸;
相应的第一壳体元件(71)与相应的第二壳体元件(72)的按压通过如下方式进行,即向所述工作体积(125)输送工作压强(p120),该工作压强从与第二气压(p62)相同的压强源(15)馈送。
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