[发明专利]印刷电路板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201310272163.0 申请日: 2013-07-01
公开(公告)号: CN104284527A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 何忠亮 申请(专利权)人: 深圳市环基实业有限公司
主分类号: H05K3/42 分类号: H05K3/42;C25D3/38
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518125 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 印刷 电路板 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明属于印刷电路板的加工领域,尤其涉及一种印刷电路板及其制作方法。

背景技术

随着印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)行业的发展,急需技术上的突破,生产商只有在技术上的提高才会真正提高其在行业中的地位,电路板向高精化发展,则产品的品质是首要的。

PCB是在一片非导体的复合基材(环氧树脂-玻璃纤维布基材、酚醛纸基板、聚脂玻纤板等)上通过蚀刻(在覆铜箔的基材上)或化学镀电镀(在覆铜箔的基材上或无铜箔的基材上)的方法生产加工而成的,是组装电子元件用的基板。由于PCB上的导通孔是不导电的,传统的方法是采用化学沉铜工艺在导通孔内形成导电铜层而实现导电的目的。请参照图1所示的化学沉铜工艺的流程,该流程包括利用调整剂清洁、三级逆流水洗、利用微蚀剂进行微蚀、二级逆流水洗、预浸剂进行浸泡处理、活化剂、二级逆流水洗、加速剂、化学沉铜剂以及二级逆流水洗,化学沉铜工艺是生产PCB的重要工序之一,是将钻孔后形成的不导电导通孔通过表面前处理、活化催化反应使得导通孔之孔壁沉积上一层很薄的铜,从而达到板件钻孔电气联通的目的,为后续电镀加厚做准备。可见,化学沉铜的工艺流程较为复杂且污染程度较高,很难满足日益严格的环保要求。

业界已经提出将导电高分子聚合物也俗称有机导电膜(下面称有机导电膜)应用到PCB上实现导通孔的金属化制作,以简化工艺流程并减少污染物的排放。导电高分子聚合物材料的导电机理的理论研究工作通常包括导电通路的形成以及形成导电通路后的导电机理两方面,导电通路的形成是通过将导电功能体加入聚合物基体中,使导电功能体在给定的加工工艺条件下如何达到电接触而在整体上自发地形成导电通路这一宏观自组织过程。然而,利用有机导电膜实现PCB上导通孔导电的方法还未能解决有机导电膜与高分子材料的结合力差的问题。

目前,为增加有机导电膜与高分子材料结合力,提高有机导电膜产品的耐热冲击性,主要采用如下处理方式:等离子体法和高锰酸钾法。其中,等离子体法是利用真空装置(真空度为10-2-10-3mbar)通入被选用气体,再用射频电源(13.6MHz)向真空室内的正负电极间施加高频高压电场,促使气体在电场作用下的两极之间电离,形成电子、离子、自由基、游离基团和紫外线辐射粒子等组成的高能量和高活性等离子体,对板面或孔壁高分子材料进行咬蚀,从而获得较好的粗糙度,然而,该方法的缺点是设备昂贵、制造成本高;高锰酸钾法是在碱性条件下,将钻污或玻璃束溶胀,再通过高锰酸钾将树脂键切断,该方法的缺点是污水难以处理,不利于环保。而且,上述两种方法经高分子材料表面处理后产生的有机导电膜与高分子材料结合力均不理想,耐热冲击性能不佳。

发明内容

本发明的目的在于提供一种印刷电路板的制作方法,旨在解决现有技术中印刷电路板上有机导电膜与高分子材料结合力差的问题。

本发明实施例是这样实现的,一种印刷电路板的制作方法,包括在所提供的基材表面加工导通孔步骤,还包括以下步骤:

表面调整,利用调整剂对所述导通孔的孔壁进行调整;

量子表面调整,对经表面调整步骤处理后的所述导通孔的孔壁进行表面改性处理;

有机导电膜处理,在所述导通孔的孔壁上形成有机导电膜;以及

镀铜,在所述有机导电膜表面镀一铜层。

进一步地,在所述表面调整步骤之前,还设置磨批锋步骤,所述磨批锋的步骤包括:

提供具有磨刷的磨批锋处理机,所述磨刷的电流范围为2.0-2.5安培;

使所述基材匀速通过所述磨批锋处理机;以及

所述磨批锋处理机对所述导通孔之孔口进行磨刷处理、高压水洗处理和烘干处理。

进一步地,所述表面调整步骤中所述调整剂的温度范围为35-45℃、浓度范围为250-300毫升/升以及调整时间范围为8-10分钟。

进一步地,所述量子表面调整的步骤包括:

提供设有处理缝的高压离子处理机,在所述处理缝处形成高压电场;使所述处理缝在所述高压电场的作用下产生离子态气相物质;以及

所述离子态气相物质吸附于所述基材的孔壁上并对所述孔壁进行表面改性处理。

进一步地,所述有机导电膜处理的步骤包括:

整孔,对经表面改性处理后的所述导通孔之孔壁进行整理;

氧化,提供高锰酸钾,使所述高锰酸钾分解产生的二氧化锰被吸附在所述孔壁上;

催化,使用催化剂提高所述高锰酸钾分解反应速度;以及

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