[发明专利]Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法有效
| 申请号： | 201310251573.7 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103320866A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈平平;卢振宇;陆卫;石遂兴;周孝好 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/42;C30B23/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bi 元素 调控 gaas 纳米 晶体结构 分子 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，其特征在于包括以下步骤：
I、在预处理，即除气、脱氧及生长缓冲层之后的GaAs(111)B衬底上真空热蒸发一层厚度为0.5-1nm的金膜，然后在真空传输到MBE生长室中，在As气氛的保护下进行退火处理，退火温度保持在500℃，退火时间为5分钟，使得金薄膜在GaAs衬底表面形成金的小颗粒，为气-液-固生长提供催化剂；
II、As蒸发源的温度控制在160-180℃，其对应的束流等效分压为2.6×10-6乇-6.7×10-6乇，Ga蒸发源温度控制在930-950℃，其对应的束流等效分压为1.0×10-7乇-3.0×10-7乇；通过调控As和Ga蒸发源的温度，使As元素与Ga元素束流等效分压比在15-40之间，控制纳米线的生长速率在40-60nm/min，生长温度保持在400-450℃；并且调控Bi蒸发源的温度使其保持在480-500℃之间，对应的束流等效分压为1.2×10-7乇-2.0×10-7乇，使Bi元素束流分压与Ga元素束流分压比x在40%-70%之间，在生长过程中通过开、关Bi蒸发源挡板，以此在生长室里面引入或撤除Bi元素；
III、冷却衬底和各蒸发源，将生长完的样品传入MBE预处理室，即得纤锌矿结构和闪锌矿结构共存的GaAs纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所，未经中国科学院上海技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310251573.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：真空铜箔涂胶装置
- 下一篇：旋转密封装置及使用该旋转密封装置的匀胶机
