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[发明专利]电子元器件生产厂供应能力的评价系统及方法-CN202310194155.2在审
发明人： 石遂兴;季轩;付予;刘沛;周宇;邱晨;邢前 -专利权人：中国航天标准化研究所
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：电子元器件生产厂供应能力的评价系统及方法，包括：评价因素确定模块，建立供应能力评价因素集U；评价等级划分模块对各评价因素给出评价等级并得到等级矢量V；评价因素权重确定模块，利用层次分析法确定各评价因素的权重得到模糊权矢量A；模糊关系矩阵确立模块，基于所述评价因素确定每个评价因素对全部评价因素的隶属程度，根据所述隶属程度得到模糊关系矩阵R；多指标综合评价模块，利用模糊合成算子将模糊权矢量A与模糊关系矩阵R合成得到各被评价对象的模糊综合评价结果矢量B，根据模糊综合评价结果矢量B和等级矢量V相乘确定综合评价成绩；基于综合评价成绩得到元器件的稳定供应风险项。本发明可评价生产厂稳定供应能力，找到风险项。
电子元器件生产供应能力评价系统方法

[发明专利]一种航天元器件状态控制系统-CN201711068818.7有效
发明人：张伟;朱旭斌;王敬贤;石遂兴;李婷婷;靖连天;付琬月 -专利权人：中国航天标准化研究所
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：一种航天元器件状态控制系统，包括状态确认表构建模块、状态确认模块、状态变更监控模块；本发明系统性地确定了一种航天元器件状态控制系统的组成结构及功能，是实现一种航天元器件状态控制的载体。本发明通过状态确认模块和状态控制子模块确定了一种航天元器件状态控制系统内部模块之间信息反馈及传递机制，能够实现对状态的控制，确保状态确认文件和状态控制目录准确且持续地进行迭代更新。
一种航天元器件状态控制系统

[发明专利]一种用作光学微腔的GaSb纳米盘的制备方法-CN201510106443.3无效
发明人：陈平平;石遂兴;陆卫;卢振宇;张旭涛 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用作光学微腔的GaSb纳米盘的制备方法，该方法的特征在于：GaAs纳米线的生长遵循的是气—液—固机制下的轴向生长模式，而GaSb纳米盘遵循的却是气—固机制主导下的二维生长。GaSb生长过程中的主要参数包括衬底温度、Ga源和Sb源BEP束流值以及相应的V/III束流比。而且，可通过改变生长时间来调整纳米盘的大小。采用本发明中所述的分子束外延生长方法，所得到的GaSb纳米盘形状规则、表面平整、晶体质量高且不含任何缺陷，同时纳米盘的尺寸可以灵活调控。GaSb纳米盘在纳米激光器、生物传感器件方面有着潜在的应用前景。
一种用作光学 gasb 纳米制备方法

[发明专利]Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法-CN201310251573.7有效
发明人：陈平平;卢振宇;陆卫;石遂兴;周孝好 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压，调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压，以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x，x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和相结构纯度。本方法的有益效果在于：在MBE中不需要改变生长工艺条件即可轻松实现闪锌矿晶体结构的GaAs基纳米线生长，有利于纤锌矿和闪锌矿结构GaAs基纳米线的可控生长及其同质异相异质结结构的形成，为制备纳米级光电子器件提供优异的材料。
bi 元素调控 gaas 纳米晶体结构分子外延生长方法