[发明专利]Li4Sr(BO3)2化合物、Li4Sr(BO3)2非线性光学晶体及其制法和用途

权利要求书

1.一种分子式为Li₄Sr(BO₃)₂的非线性光学晶体。

2.一种权利要求1所述Li₄Sr(BO₃)₂的非线性光学晶体，其特征在于，该晶体不含对称中心，属于单斜晶系C_c空间群，晶胞参数为β＝105.22(1)°，Z＝4。

3.一种制备权利要求1或2中的Li₄Sr(BO₃)₂的非线性光学晶体的方法，其特征在于，采用助熔剂法生长Li₄Sr(BO₃)₂非线性光学晶体，所述助熔剂选自Li₂O、Li₂O-B₂O₃或Li₂O-B₂O₃-LiF。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将Li₂O、SrO、B₂O₃以摩尔比4–8：1:1–3，其相当于摩尔比Li₄Sr(BO₃)₂：Li₂O:B₂O₃＝1:2–6:0–2，或Li₂O、SrO、B₂O₃、LiF以摩尔比4–8：1:1–3：1–3，其相当于摩尔比Li₄Sr(BO₃)₂：Li₂O:B₂O₃:LiF＝1:2–6:0–2:1–3，混合并研磨均匀后并融化，在高温熔体表面或熔体中生长晶体。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于，

Li₂O、SrO、B₂O₃以摩尔比4–7：1:1–2；或Li₂O、SrO、B₂O₃、LiF以摩尔比为4–6：1:1–2：1–2。

6.根据权利要求3-5任一项的方法，其特征在于，

所述Li₄Sr(BO₃)₂非线性光学晶体生长晶体的条件为，降温速率：0.1℃～5℃/天；转速：0～50转/分；旋转方向：单向旋转或双向旋转。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于，

降温速率：0.2～1℃/天；转速：10～40转/分；旋转方向：可逆双向旋转。

8.根据权利要求6的方法，其特征在于，

待晶体生长到所需尺度后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，以不大于100℃/小时的速率降温至室温，即得Li₄Sr(BO₃)₂非线性光学晶体。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于，

待晶体生长到所需尺度后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，以小于50℃/小时的速率降温至室温，即可得Li₄Sr(BO₃)₂非线性光学晶体。

10.根据权利要求3-5任一项的方法，其特征在于，

降温速率：0.2～1℃/天；转速：10～40转/分；

待晶体生长到所需尺度后，提升籽晶杆，使晶体脱离液面，以小于50℃/小时的速率降温至室温，即可得Li₄Sr(BO₃)₂非线性光学晶体。

11.根据权利要求3-5任一项的方法，其特征在于，所述方法还包括对Li₄Sr(BO₃)₂非线性光学晶体的后处理：晶体生长结束后，仍将晶体留在生长炉中进行退火，以不大于100℃/小时的速率降至室温。