[发明专利]基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器及存储方法有效
| 申请号： | 201310234057.3 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103325415A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 项颖;徐鸣亚;刘忆琨 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G02F1/139 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 刘媖 |
| 地址： | 510062 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 杂质 掺杂 胆甾相 液晶 存储器 存储 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器，包括液晶层（1），液晶层（1）的上表面从下到上依次设有上PI取向层（2）、上ITO电极（3）、上玻璃基板（4），液晶层（1）的下表面从上到上依次设有下PI取向层（5）、下ITO电极（6）下玻璃基板（7），其特征在于：所述液晶层（1）的液晶为纳米棒状ZnO颗粒掺杂的胆甾相液晶，所述纳米棒状ZnO颗粒的直径为5-10nm，长度为30-50nm，掺杂浓度为重量百分比0.08%-0.15%。
2.根据权利要求1所述的基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器，其特征在于：所述上PI取向层（2）和下PI取向层（5）均经过摩擦处理，摩擦方向反向平行。
3.根据权利要求1或2所述的基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器，其特征在于：所述胆甾相液晶的螺距为0.3μm -0.8 μm。
4.根据权利要求1所述的基于半导体杂质掺杂的胆甾相液晶的光存储器，其特征在于：所述液晶层（1）的厚度5μm-15μm。
5.一种采用如权利要求1至4中任一项所述的光存储器进行光信号存储的方法，其特征在于：利用光折变效应将微弱的光信号写入到胆甾相液晶层中，使之形成与信号对应的周期结构，利用胆甾相液晶的双稳态畴实现光信号的存储和删除。
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