[发明专利]接地屏蔽结构及半导体器件

权利要求书

1.一种接地屏蔽结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的介质层；

位于所述衬底或介质层中的多环导电环，每个导电环具有多个开口，所述开口数大于等于3，每个导电环的多个开口将导电环隔开为多个间隔排列的子导电环；

接地环，与所有所述子导电环电连接，所述接地环具有开口；

位于所述衬底中的多环第二有源区环，所述导电环位于第二有源区环上且与第二有源区环为介质层所隔开。

2.如权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，每个导电环的开口数大于等于3且小于等于8。

3.如权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述多环导电环为同心多环导电环。

4.如权利要求3所述的接地屏蔽结构，其特征在于，每个导电环的开口数量相等且等间隔分布，相邻两个导电环的开口沿径向一一相对。

5.如权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，

所述导电环为位于所述衬底中的第一有源区环。

6.如权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述导电环为位于所述介质层中的多晶硅环；

或者，所述导电环为位于所述介质层中的第一金属环；

或者，所述导电环包括位于所述介质层中的多晶硅环和第一金属环，所述第一金属环位于所述多晶硅环上且与所述多晶硅环电连接。

7.如权利要求6所述的接地屏蔽结构，其特征在于，还包括位于所述介质层上的互连线，所述接地环与所有所述子导电环通过互连线电连接。

8.如权利要求7所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述第一金属环与互连线位于同一平面内且互相连接，所述互连线在所述子导电环的中点位置处与子导电环电连接。

9.如权利要求8所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述接地环为位于衬底中的第三有源区环；或者，

所述接地环包括：位于所述衬底中的第三有源区环、位于所述介质层中的第二金属环，所述第二金属环位于第三有源区环上且与第三有源区环电连接，所述第二金属环与第一金属环、互连线位于同一平面内且相互连接；

所述多环导电环在所述衬底表面的投影位于所述接地环在衬底表面的投影范围内。

10.如权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述导电环的数量范围为2～100。

11.如权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述导电环的形状为三角形、正方形、圆形或者八边形。

12.如权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述导电环的线宽为大于等于0.1微米小于等于100微米。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括：

权利要求1所述的接地屏蔽结构；

位于所述接地屏蔽结构上的感应器件。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述感应器件包括电感、或变压器。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述感应器件在衬底表面的投影位于所述接地屏蔽结构在衬底表面的投影内。