[发明专利]自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法及其用途

权利要求书

1.一种自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：该方法包括将纳米金属或半导体颗粒受热有序化重组和将基底氧化石墨烯受热还原。

2.根据权利要求1所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，具体包括如下步骤：(1)制备镀有金属或半导体膜的氧化石墨烯纸；(2)对步骤(1)制备的镀有金属或半导体膜的氧化石墨烯纸采用激光器进行快速扫描加热和图案化处理；(3)测试成品。

3.根据权利要求2所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)为将氧化石墨烯纸放入高真空蒸发镀膜机内，抽取真空后通入电流来加热底部放置的金属丝或半导体源材料，调节电流值至金属丝或半导体材料融化并向顶部放置的氧化石墨烯纸溅射；通过内置膜厚仪测得氧化石墨烯纸表面镀膜厚度达到目标厚度时，关掉电源并取出样品。

4.根据权利要求2所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)为将镀有金属或半导体膜的氧化石墨烯纸朝外放入石英管内，抽真空并随即通入高纯氢气；打开激光器，并让激光聚焦在镀膜表面，利用打标软件进行快速扫描和图案化处理。

5.根据权利要求2所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)为待观察到激光打标后的图案表面金属或半导体膜已大部分脱落，裸露的氧化石墨烯也由黑色变为深灰色，取出成品，用拉曼光谱和显微镜进行观测。

6.根据权利要求3所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：所述抽取真空为抽取真空至10^-4Pa，调节电流使得镀膜的平均速率在1-2nm/s之间。

7.根据权利要求3所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：所述目标厚度为60纳米。

8.根据权利要求4所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：所述通入高纯氢气为通入高纯氢气，直到石英管内相对压强降到-0.05pa。

9.根据权利要求1～8所述的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的制备方法，其特征在于：所述金属为金或银或铂。

10.一种如权利要求1～9所述方法制备的自组装纳米金属或半导体颗粒掺杂石墨烯微片的用途，在于作为光催化、导电磁和光敏电极材料的应用。